MTP12P10中文资料功率 MOSFET，12 A，100 V，P 沟道，TO-220数据手册ONSEMI规格书
MTP12P10规格书详情
描述 Description
此功率 MOSFET 适用于中压、高速电源开关应用，如开关稳压器、转换器、电磁和继电器驱动器。
特性 Features
• Silicon Gate for Fast Switching SpeedsSwitching Times Specified at 100°C
• Designer's DataIDSS, VDS(on), VGS(th) and SOA Specified at Elevated Temperature
• RuggedSOA is Power Dissipation Limited
• Source-to-Drain Diode Characterized for Use With Inductive Loads
• Pb-Free Package is Available
技术参数
- 型号：
MTP12P10
- 功能描述：
MOSFET 100V 12A P-Channel
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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