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MTP10N10EL规格书详情
描述 Description
此功率 MOSFET 适用于承受雪崩和换相模式下的高能量。能效设计还提供了具有快速恢复时间的漏极-源极二极管。此类器件专用于电源、转换器和 PWM 电机控制中的低电压、高速开关应用，尤其适用于二极管速度和换相安全运行区域非常关键的桥式电路，可针对非预期的瞬变电压提供附加安全裕度。
特性 Features
• Avalanche Energy Specified
• Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode
• Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits
• IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature
• Pb-Free Package is Available
技术参数
- 型号：
MTP10N10EL
- 功能描述：
MOSFET 100V 10A Logic Level
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
4250 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
ON |
20+ |
TO-220 |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
ON |
23+ |
TO-220 |
15000 |
专做原装正品,假一罚百! |
询价 | ||
MOT |
06+ |
TO-220 |
3000 |
原装 |
询价 | ||
ON |
2025+ |
TO-220AB |
3577 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
询价 | ||
VBSEMI/微碧半导体 |
24+ |
TO220 |
7800 |
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询价 | ||
ON |
24+ |
TO-220 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
TO-TO-220 |
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询价 | ||
ON |
24+ |
N/A |
2380 |
询价 | |||
ON |
17+ |
TO-220 |
6200 |
询价 |
