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MTB095N10KRL3_17

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:414.62 Kbytes 页数:9 Pages

CYSTEKEC

全宇昕科技

MTB095N10KRL3-0-T3-G

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:414.62 Kbytes 页数:9 Pages

CYSTEKEC

全宇昕科技

MTB095N10KRM3

100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:665.04 Kbytes 页数:9 Pages

CYSTEKEC

全宇昕科技

MTB095N10KRM3-0-T2-G

100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:665.04 Kbytes 页数:9 Pages

CYSTEKEC

全宇昕科技

MTB095N10KRN3

100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:397.32 Kbytes 页数:9 Pages

CYSTEKEC

全宇昕科技

MTB095N10KRN3-0-T1-G

100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:397.32 Kbytes 页数:9 Pages

CYSTEKEC

全宇昕科技

MTB095N10KRQ8

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:493.65 Kbytes 页数:9 Pages

CYSTEKEC

全宇昕科技

MTB095N10KRQ8

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:1.35109 Mbytes 页数:6 Pages

DOINGTER

杜因特

MTB09N03H8

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET

文件:264.89 Kbytes 页数:6 Pages

CYSTEKEC

全宇昕科技

MTB09N03V8

MTB09N03V8 CYStek Product Specification

文件:334.5 Kbytes 页数:9 Pages

CYSTEKEC

全宇昕科技

技术参数

  • Package:

    DFN3×3

  • Channel:

    Single N

  • BVDSS(V):

    60

  • ID(A):

    16

  • Vgs(±V):

    20

  • VGS(th) max(V):

    2.5

  • RDS(ON) @ 10V(mΩ):

    15(11)

  • RDS(ON) @4.5V(mΩ):

    24(16)

  • Ciss typ.(pF):

    1270

  • Crss typ.(pF):

    27

  • Qg typ (nC):

    20

  • Qgd typ.(nC):

    3.1

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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