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MTB090N06J3

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:401.08 Kbytes 页数:9 Pages

CYSTEKEC

全宇昕科技

MTB090N06J3

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:674.91 Kbytes 页数:5 Pages

DOINGTER

杜因特

MTB090N06N3

60V N-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET

文件:318.03 Kbytes 页数:9 Pages

CYSTEKEC

全宇昕科技

MTB095A10KRQ8

Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:457.43 Kbytes 页数:9 Pages

CYSTEKEC

全宇昕科技

MTB095A10KRQ8-0-T3-G

Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:457.43 Kbytes 页数:9 Pages

CYSTEKEC

全宇昕科技

MTB095N10KRJ3

N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:403.97 Kbytes 页数:9 Pages

CYSTEKEC

全宇昕科技

MTB095N10KRJ3

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:2.4551 Mbytes 页数:4 Pages

DOINGTER

杜因特

MTB095N10KRJ3-0-T3-G

N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:403.97 Kbytes 页数:9 Pages

CYSTEKEC

全宇昕科技

MTB095N10KRL3

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:414.62 Kbytes 页数:9 Pages

CYSTEKEC

全宇昕科技

MTB095N10KRL3

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:413.67 Kbytes 页数:9 Pages

CYSTEKEC

全宇昕科技

技术参数

  • Package:

    DFN3×3

  • Channel:

    Single N

  • BVDSS(V):

    60

  • ID(A):

    16

  • Vgs(±V):

    20

  • VGS(th) max(V):

    2.5

  • RDS(ON) @ 10V(mΩ):

    15(11)

  • RDS(ON) @4.5V(mΩ):

    24(16)

  • Ciss typ.(pF):

    1270

  • Crss typ.(pF):

    27

  • Qg typ (nC):

    20

  • Qgd typ.(nC):

    3.1

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Platt Luggage
2022+
27
全新原装 货期两周
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TO-263
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MOT
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TO-263
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主营MOS管,二极.三极管,肖特基二极管.功率三极管
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TO-263
50000
AI智能識别、工業、汽車、醫療方案LPC批量及配套一站
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30000
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625
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