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MTB06N03Q8

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:1.20814 Mbytes 页数:4 Pages

DOINGTER

杜因特

MTB06N03Q8_16

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET

文件:378.62 Kbytes 页数:9 Pages

CYSTEKEC

全宇昕科技

MTB06N03Q8-0-T3-G

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET

文件:378.62 Kbytes 页数:9 Pages

CYSTEKEC

全宇昕科技

MTB06N03V8

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET

文件:335.54 Kbytes 页数:9 Pages

CYSTEKEC

全宇昕科技

MTB070N11J3

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:325.38 Kbytes 页数:9 Pages

CYSTEKEC

全宇昕科技

MTB070P15J3

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:419.49 Kbytes 页数:9 Pages

CYSTEKEC

全宇昕科技

MTB070P15J3-0-T3-G

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:419.49 Kbytes 页数:9 Pages

CYSTEKEC

全宇昕科技

MTB07P03Q8

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件:182.77 Kbytes 页数:6 Pages

CYSTEKEC

全宇昕科技

MTB080C10Q8

N- and P-channel enhancement mode power MOSFET

文件:475.54 Kbytes 页数:12 Pages

CYSTEKEC

全宇昕科技

MTB080C10Q8-0-T3-G

N- and P-channel enhancement mode power MOSFET

文件:475.54 Kbytes 页数:12 Pages

CYSTEKEC

全宇昕科技

技术参数

  • Package:

    DFN3×3

  • Channel:

    Single N

  • BVDSS(V):

    60

  • ID(A):

    16

  • Vgs(±V):

    20

  • VGS(th) max(V):

    2.5

  • RDS(ON) @ 10V(mΩ):

    15(11)

  • RDS(ON) @4.5V(mΩ):

    24(16)

  • Ciss typ.(pF):

    1270

  • Crss typ.(pF):

    27

  • Qg typ (nC):

    20

  • Qgd typ.(nC):

    3.1

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Platt Luggage
2022+
27
全新原装 货期两周
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MOT
23+24
TO-263
29840
主营MOS管,二极.三极管,肖特基二极管.功率三极管
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只做全新原装真实现货供应
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更多MTB供应商 更新时间2026-2-4 9:50:00