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MTB030P06KH8

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:625.32 Kbytes 页数:10 Pages

CYSTEKEC

全宇昕科技

MTB030P06KH8-0-T6-G

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:625.32 Kbytes 页数:10 Pages

CYSTEKEC

全宇昕科技

MTB032P06AV8

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:458.48 Kbytes 页数:9 Pages

CYSTEKEC

全宇昕科技

MTB032P06V8

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:333.58 Kbytes 页数:9 Pages

CYSTEKEC

全宇昕科技

MTB03N03H8

MTB03N03H8 CYStek Product Specification

文件:228.22 Kbytes 页数:7 Pages

CYSTEKEC

全宇昕科技

MTB040P04N3

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:659.02 Kbytes 页数:9 Pages

CYSTEKEC

全宇昕科技

MTB040P04N3-0-T1-G

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:659.02 Kbytes 页数:9 Pages

CYSTEKEC

全宇昕科技

MTB040P04Q8

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:419.78 Kbytes 页数:9 Pages

CYSTEKEC

全宇昕科技

MTB040P04Q8

P-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:1.30147 Mbytes 页数:4 Pages

DOINGTER

杜因特

MTB04N03AQ8

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET

文件:325.57 Kbytes 页数:9 Pages

CYSTEKEC

全宇昕科技

技术参数

  • Package:

    DFN3×3

  • Channel:

    Single N

  • BVDSS(V):

    60

  • ID(A):

    16

  • Vgs(±V):

    20

  • VGS(th) max(V):

    2.5

  • RDS(ON) @ 10V(mΩ):

    15(11)

  • RDS(ON) @4.5V(mΩ):

    24(16)

  • Ciss typ.(pF):

    1270

  • Crss typ.(pF):

    27

  • Qg typ (nC):

    20

  • Qgd typ.(nC):

    3.1

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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2022+
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TO-263
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CYSTECH/全宇昕
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