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MTB100N10RKN6

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:515.99 Kbytes 页数:9 Pages

CYSTEKEC

全宇昕科技

MTB100N10RKN6-0-T1-G

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:515.99 Kbytes 页数:9 Pages

CYSTEKEC

全宇昕科技

MTB100N11RKJ3

N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:403.96 Kbytes 页数:9 Pages

CYSTEKEC

全宇昕科技

MTB100N11RKJ3-0-T3-G

N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:403.96 Kbytes 页数:9 Pages

CYSTEKEC

全宇昕科技

MTB10631-GYHR

Tri Color 10 Sement Light Bar

文件:652.3 Kbytes 页数:3 Pages

MARKTECH

MTB10N40E

TMOS POWER FET 10 AMPERES

文件:273.15 Kbytes 页数:10 Pages

MOTOROLA

摩托罗拉

MTB10N40E

High Energy Power FET

文件:282.56 Kbytes 页数:11 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MTB10N40ET4G

丝印:D2PAK;Package:TO-263;N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

文件:1.038589 Mbytes 页数:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

MTB1100

Ideal for printed circuit board.

文件:140.78 Kbytes 页数:4 Pages

BWTECH

MTB110P08KJ3

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:468.43 Kbytes 页数:9 Pages

CYSTEKEC

全宇昕科技

技术参数

  • Package:

    DFN3×3

  • Channel:

    Single N

  • BVDSS(V):

    60

  • ID(A):

    16

  • Vgs(±V):

    20

  • VGS(th) max(V):

    2.5

  • RDS(ON) @ 10V(mΩ):

    15(11)

  • RDS(ON) @4.5V(mΩ):

    24(16)

  • Ciss typ.(pF):

    1270

  • Crss typ.(pF):

    27

  • Qg typ (nC):

    20

  • Qgd typ.(nC):

    3.1

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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