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MT3S111	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	丝印：R5；Package：S-MINI；Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
MT3S111	文件：167.66 Kbytes Page：5 Pages	VHF-UHF Low-Noise, Low-Distortion Amplifier Applications 文件：167.66 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
MT3S111	文件：300 bytes Page：1 Pages	Radio-frequency SiGe Heterojunction Bipolar Transistor Application Scope：VHF/UHF band low noise, low distortion amplifier\nPolarity：NPN\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 Collector Current IC 0.1 A \nCollector power dissipation PC 160 mW \nCollector power dissipation (mounted on board) PC 700 mW \nJunction temperature Tj 150 ℃ \nCollector-emitter voltage VCEO 6 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
MT3S111P	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	丝印：R5；Package：Pw-Mini；Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
MT3S111TU	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	丝印：R5；Package：UFM；Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
MT3S111P	文件：169.96 Kbytes Page：5 Pages	VHF-UHF Low-Noise, Low-Distortion Amplifier Applications 文件：169.96 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
MT3S111TU	文件：162.64 Kbytes Page：5 Pages	VHF-UHF Low-Noise, Low-Distortion Amplifier Application 文件：162.64 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
MT3S111P	文件：300 bytes Page：1 Pages	Radio-frequency SiGe Heterojunction Bipolar Transistor Application Scope：VHF/UHF band low noise, low distortion amplifier\nPolarity：NPN\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 Collector Current IC 0.1 A \nCollector power dissipation PC 300 mW \nCollector power dissipation (mounted on board) PC 1000 mW \nJunction temperature Tj 150 ℃ \nCollector-emitter voltage VCEO 6 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
MT3S111TU	文件：300 bytes Page：1 Pages	Radio-frequency SiGe Heterojunction Bipolar Transistor Application Scope：VHF/UHF band low noise, low distortion amplifier\nPolarity：NPN\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 / 泰国 Collector Current IC 0.1 A \nCollector power dissipation (mounted on board) PC 800 mW \nJunction temperature Tj 150 ℃ \nCollector-emitter voltage VCEO 6 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
MT3S111(TE85L,F)	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 6V 11.5GHZ SMINI	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage

技术参数

application scope：
VHF/UHF band low noise
VCEO (Max) (V)：
6
IC (Max) (A)：
0.1
fT (Typ.) (GHz)：
11.5
2 (Typ.) (dB)：
12
NF (Typ.) (dB)：
0.9
Number of pins：
3
Surface mount package：
Y
Package name(Toshiba)：
S-Mini
Width×Length×Height(mm)：
2.9 x 2.5 x 1.1
Package Size(mm^2)：
7.25

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	MT3S111	TOSHIBA/东芝	25+	SOT-23	20300	TOSHIBA/东芝原装特价MT3S111即刻询购立享优惠#长期有货	询价
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更多MT3S111供应商更新时间2026-4-12 14:13:00

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