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PBSS5160PAP-Q	文件：311.74 Kbytes Page：17 Pages	60V,1APNP/PNPlowVCEsatdoubletransistor Featuresandbenefits •Verylowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •HighcollectorcurrentgainhFEathighIC •ReducedPrinted-CircuitBoard(PCB)requirements •Highenergyefficiencyduetolessheatgeneration •Qualifiedaccordi	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5160PAPS	文件：763.04 Kbytes Page：19 Pages	60V,1APNP/PNPlowVCEsat(BISS)transistor	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5160PAPS-Q	文件：311.67 Kbytes Page：17 Pages	60V,1APNP/PNPlowVCEsatdoubletransistor Featuresandbenefits •Verylowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •HighcollectorcurrentgainhFEathighIC •ReducedPrinted-CircuitBoard(PCB)requirements •Exposedheatsinkforexcellentthermalandelectricalconductivity •	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5160QA	文件：743.81 Kbytes Page：17 Pages	60V,1APNPlowVCEsat(BISS)transistor 1.Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaleadlessultrasmall DFN1010D-3(SOT1215)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithvisible andsolderablesidepads. NPNcomplement:PBSS4160QA. 2.Featuresandbenefits •Verylowcollector-	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5160T	文件：698.91 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaSOT-23PlasticPackage Descriptions SiliconPNPtransistorinaSOT-23PlasticPackage. Features LowVCE(sat),highcurrent. Applications Generalpurposeswitchingandmuting,LCDback-lighting,supplylineswitchingcircuits.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
PBSS5160T	文件：109.09 Kbytes Page：10 Pages	60V,1APNPlowVCEsat(BISS)transistor DESCRIPTION PNPlowVCEsattransistorinaSOT23plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4160T. FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcollectorcurrentcapability:ICandICM •Highefficiency,reducesheatgeneration •Reducesprinted-circuitboardarearequired •	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS5160T	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS5160T	文件：696.66 Kbytes Page：11 Pages	60V,1APNPlowVCEsat(BISS)transistor Features Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highefficiencyduetolessheatgeneration ReducesPrinted-CircuitBoard(PCB)arearequired *Cost-effectivereplacementformediumpowertransistorsBCP52andBCX52	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5160T	文件：196.31 Kbytes Page：4 Pages	TRANSISTOR(PNP) Descriptions SiliconPNPtransistorinaSOT-23PlasticPackage. Features LowVCE(sat),highcurrent. Applications Generalpurposeswitchingandmuting LCDback-lighting Supplylineswitchingcircuits.	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
PBSS5160U	文件：247.33 Kbytes Page：15 Pages	60V,1APNPlowVCEsat(BISS)transistor 1.1Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaverysmall SOT323(SC-70)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4160U. 1.2Features nLowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat nHighcollectorcurrentcapabilityI	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

产品属性

产品编号：
MST5160C
制造商：
onsemi
类别：
光电器件 > 显示器模块 - LED 字符与数字
包装：
散装
字符数：
3
大小 / 尺寸：
0.697" 高 x 1.496" 宽 x 0.276" 直径（17.70mm x 38.00mm x 7.00mm）
数字/字母大小：
0.52"（13.21mm）
显示类型：
7 段
通用引脚：
共阴极
颜色：
红色
电压 - 正向 (Vf)（典型值）：
2.1V
电流 - 测试：
20mA
毫烛光等级：
0.8mcd
波长 - 峰值：
697nm
功率耗散（最大值）：
40mW
封装/外壳：
30-DIP（0.600"，15.24mm）
描述：
DISPLAY 7SEG 0.52\

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MST5160C供应商更新时间2025-7-14 8:01:00

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