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MRF6P27160HR6	文件：446.2 Kbytes Page：12 Pages	RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET 2600-2700MHz,35WAVG.,28VSINGLEN-CDMALATERALN-CHANNELRFPOWERMOSFET DesignedforCDMAbasestationapplicationswithfrequenciesfrom2600to2700MHz.SuitableforWiMAX,WiBroandmulticarrieramplifierapplications.TobeusedinClassABandClassCforWLLapplications. •Typical	freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔	freescale
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MRF6P27160HR5	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：NI-1230 类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：FET RF 68V 2.66GHZ NI-1230	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
MRF6P27160HR6	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：NI-1230 类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：FET RF 68V 2.66GHZ NI-1230	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
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更多MRF6P27160HR供应商更新时间2024-5-14 16:04:00