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MRF6P27160H中文资料PDF规格书

MRF6P27160H
厂商型号

MRF6P27160H

参数属性

MRF6P27160H 封装/外壳为NI-1230;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频;产品描述:FET RF 68V 2.66GHZ NI-1230

功能描述

RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

文件大小

490.55 Kbytes

页面数量

12

生产厂商 Freescaleiscreatingasmarter
企业简称

freescale飞思卡尔

中文名称

飞思卡尔官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-31 18:35:00

产品属性

  • 产品编号:

    MRF6P27160HR6

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    LDMOS

  • 频率:

    2.66GHz

  • 增益:

    14.6dB

  • 功率 - 输出:

    35W

  • 封装/外壳:

    NI-1230

  • 供应商器件封装:

    NI-1230

  • 描述:

    FET RF 68V 2.66GHZ NI-1230

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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