MRF5S9070M数据手册恩XP中文资料规格书

厂商型号	MRF5S9070M
功能描述	880 MHz, 70 W, 26 V Single N-CDMA Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET
制造商	恩XP 恩XP
中文名称	N智浦
数据手册	下载地址下载地址二
更新时间	2025-8-8 18:03:00
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MRF5S9070M规格书详情

描述 Description

OverviewReplaced by MRF5S9070NR1. There are no form, fit or function changes with this part replacement. The MRF5S9070MR1 is designed for broadband commercial and industrial applications with frequencies up to 1000 MHz. The high gain and broadband performance of this device make it ideal for large–signal, common–source amplifier applications in 26 volt base station equipment.

特性 Features

•Typical Single–Carrier N–CDMA Performance @ 880 MHz, VDD
= 26 Volts, IDQ = 600 mA, Pout = 14 Watts Avg., IS–95 CDMA (Pilot, Sync, Paging,
Traffic Codes 8 Through 13)
Power Gain: 17.8 dB
Drain Efficiency: 30%
ACPR @ 750 kHz Offset: –47 dBc in 30 kHz Bandwidth

•Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 26 Vdc, 880 MHz, 70 Watts CW Output Power

•Characterized with Series Equivalent Large–Signal Impedance Parameters

•Integrated ESD Protection

•200°C Capable Plastic Package

•In Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units per 24 mm, 13 inch Reel.

技术参数

型号：
MRF5S9070M
功能描述：
MOSFET RF N-CH 26V 70W TO-270-2
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> RF FET
系列：
-
产品目录绘图：
MOSFET SOT-23-3 Pkg
标准包装：
3,000
晶体管类型：
N 通道 JFET
频率：
-
增益：
- 电压 -
测试：
-
额定电流：
30mA
噪音数据：
- 电流 -
测试：
- 功率 -
输出：
- 电压 -
额定：
25V
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装：
SOT-23-3（TO-236）
包装：
带卷(TR)
产品目录页面：
1558(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR

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