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MRF5S21045M中文资料2170 MHz, 10 W AVG., 28 V, 2 x W-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFETs数据手册恩XP规格书

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厂商型号

MRF5S21045M

功能描述

2170 MHz, 10 W AVG., 28 V, 2 x W-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFETs

制造商

恩XP

中文名称

N智浦

数据手册

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更新时间

2025-9-26 19:09:00

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MRF5S21045M规格书详情

描述 Description

OverviewReplaced by MRF5S21045NR1(NBR1). There are no form, fit or function changes with this part replacement. The MRF5S21045MR1 and MRF5S21045MBR1 are designed for W–CDMA base station applications with frequencies from 2110 to 2170 MHz. Suitable for TDMA, CDMA andmulticarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN–PCS/cellular radio and WLL applications.

特性 Features


•Typical 2–Carrier W–CDMA Performance for VDD = 28 Volts,
IDQ = 500 mA, Pout = 10 Watts Avg., Full Frequency Band, Channel
Bandwidth = 3.84 MHz, PAR = 8.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF.
Power Gain — 14.5 dB
\tDrain Efficiency — 25.5%
\tIM3 @ 10 MHz Offset: –37 dBc in 3.84 MHz Channel Bandwidth
\tACPR @ 5 MHz Offset: –39 dBc in 3.84 MHz Channel Bandwidth

•Capable of Handling 5:1 VSWR, @ 28 Vdc, 2110 MHz, 45 Watts CW Output Power

•Characterized with Series Equivalent Large–Signal Impedance Parameters

•Internally Matched for Ease of Use

•Qualified Up to a Maximum of 32 VDD Operation

•Integrated ESD Protection

•200°C Capable Plastic Package

•In Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units per 44 mm, 13 inch Reel.

技术参数

  • 型号:

    MRF5S21045M

  • 功能描述:

    MOSFET RF N-CH 28V 10W TO270-4

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> RF FET

  • 系列:

    -

  • 产品目录绘图:

    MOSFET SOT-23-3 Pkg

  • 标准包装:

    3,000

  • 晶体管类型:

    N 通道 JFET

  • 频率:

    -

  • 增益:

    - 电压 -

  • 测试:

    -

  • 额定电流:

    30mA

  • 噪音数据:

    - 电流 -

  • 测试:

    - 功率 -

  • 输出:

    - 电压 -

  • 额定:

    25V

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商设备封装:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 包装:

    带卷(TR)

  • 产品目录页面:

    1558(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称:

    MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR

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