MRF5S21150H数据手册恩XP中文资料规格书

厂商型号	MRF5S21150H
功能描述	2110-2170 MHz, 33 W Avg., 28 V 2 x W-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFETs
制造商	恩XP 恩XP
中文名称	N智浦
数据手册	下载地址下载地址二
更新时间	2025-8-8 20:00:00
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MRF5S21150H规格书详情

描述 Description

Overview The MRF5S21150HR3 and MRF5S21150HSR3 are designed for W-CDMA base station applications with frequencies from 2110 to 2170 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN-PCS/cellular radio and WLL applications.
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特性 Features

•Typical 2–Carrier W–CDMA Performance: VDD = 28 Volts, IDQ = 1300 mA, Pout = 33 Watts Avg., Full Frequency Band, Channel Bandwidth = 3.84 MHz, PAR = 8.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF.
Power Gain = 12.5 dB
\tEfficiency = 25%
\tIM3 @ 10 MHz Offset = –37 dBc in 3.84 MHz Channel Bandwidth
\tACPR @ 5 MHz Offset = –39 dBc in 3.84 MHz Channel Bandwidth

•Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 28 Vdc, 2140 MHz, 125 Watts CW Output Power

•Characterized with Series Equivalent Large–Signal Impedance Parameters

•Internally Matched for Ease of Use

•Qualified Up to a Maximum of 32 VDD Operation

•Integrated ESD Protection

•Lower Thermal Resistance Package

•Low Gold Plating Thickness on Leads, 40µ″ Nominal.

•RoHS Compliant

•In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 56 mm, 13 inch Reel.

技术参数

型号：
MRF5S21150H
功能描述：
MOSFET RF N-CHAN 28V 33W NI-880
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> RF FET
系列：
-
产品目录绘图：
MOSFET SOT-23-3 Pkg
标准包装：
3,000
晶体管类型：
N 通道 JFET
频率：
-
增益：
- 电压 -
测试：
-
额定电流：
30mA
噪音数据：
- 电流 -
测试：
- 功率 -
输出：
- 电压 -
额定：
25V
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装：
SOT-23-3（TO-236）
包装：
带卷(TR)
产品目录页面：
1558(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR

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