MRF5812R1中文资料RF/Microwave Si BJT Power Devices & Pallets数据手册Microchip规格书

厂商型号 |
MRF5812R1 |
参数属性 | MRF5812R1 封装/外壳为8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装为带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SO |
功能描述 | RF/Microwave Si BJT Power Devices & Pallets |
封装外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
制造商 | Microchip Microchip Technology |
中文名称 | 微芯科技 美国微芯科技公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-26 12:00:00 |
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技术参数
- 产品编号:
MRF5812R1
- 制造商:
Microsemi Corporation
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频
- 包装:
带
- 晶体管类型:
NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
15V
- 频率 - 跃迁:
5GHz
- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):
2dB ~ 3dB @ 500MHz
- 增益:
13dB ~ 15.5dB
- 功率 - 最大值:
1.25W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
50 @ 50mA,5V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
200mA
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商器件封装:
8-SO
- 描述:
RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SO
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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