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MRF5812MR1中文资料Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 8-Pin SOIC数据手册NJS规格书

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厂商型号

MRF5812MR1

功能描述

Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 8-Pin SOIC

制造商

NJS New Jersey Semiconductor

数据手册

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更新时间

2025-9-26 13:31:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :MRF5812MR1

  • 生产厂家

    :NJS

  • Number of Elements per Chip

    :1

  • Minimum DC Current Gain

    :50@50mA@5V

  • Maximum Transition Frequency

    :5000(Typ)MHz

  • Maximum Emitter Base Voltage

    :2.5V

  • Maximum DC Collector Current

    :0.2A

  • Maximum Collector Emitter Voltage

    :15V

  • Maximum Collector Base Voltage

    :30V

  • Configuration

    :Single Dual Base Dual Collector Quad Emitter

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