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MRF18090AR3中文资料1.80-1.88 GHz, 90 W, 26 V Lateral N-Channel RF Power MOSFET数据手册恩XP规格书

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厂商型号

MRF18090AR3

功能描述

1.80-1.88 GHz, 90 W, 26 V Lateral N-Channel RF Power MOSFET

制造商

恩XP

中文名称

N智浦

数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-9-30 16:20:00

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MRF18090AR3规格书详情

描述 Description

Overview The MRF18090AR3 is designed for GSM and GSM EDGE base station applications with frequencies from 1.8 to 2.0 GHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for GSM and GSM EDGE cellular radio applications.Archived content is no longer updated and is made available for historical reference only.

特性 Features


•GSM and GSM EDGE Performances, Full Frequency Band
Power Gain: 13.5 dB (Typ) @ 90 Watts CW
Efficiency: 52% (Typ) @ 90 Watts CW


•Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 26 Vdc, 90 Watts CW Output Power

•Internally Matched for Ease of Use

•High Gain, High Efficiency and High Linearity

•Integrated ESD Protection

•Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness

•Excellent Thermal Stability

•Characterized with Series Equivalent Large–Signal Impedance Parameters

•RoHS Compliant

•In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 56 mm, 13 inch Reel.

技术参数

  • 型号:

    MRF18090AR3

  • 功能描述:

    IC MOSFET RF N-CHAN NI-880

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> RF FET

  • 系列:

    -

  • 产品目录绘图:

    MOSFET SOT-23-3 Pkg

  • 标准包装:

    3,000

  • 晶体管类型:

    N 通道 JFET

  • 频率:

    -

  • 增益:

    - 电压 -

  • 测试:

    -

  • 额定电流:

    30mA

  • 噪音数据:

    - 电流 -

  • 测试:

    - 功率 -

  • 输出:

    - 电压 -

  • 额定:

    25V

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商设备封装:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 包装:

    带卷(TR)

  • 产品目录页面:

    1558(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称:

    MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR

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