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MRF18030BL数据手册恩XP中文资料规格书

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厂商型号

MRF18030BL

功能描述

1930-1990 MHz, 30 W, 26 V GSM/GSM EDGE Lateral N-Channel RF Power MOSFET

制造商

恩XP 恩XP

中文名称

N智浦

数据手册

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更新时间

2025-8-8 11:43:00

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MRF18030BL规格书详情

描述 Description

Overview MRF18030BLR3, MRF18030BLSR3 removed from active portfolio. View replacement parts via Part Number Search.

特性 Features


•Typical GSM Performance:
Power Gain — 14 dB (Typ) @ 30 Watts
\tEfficiency — 50% (Typ) @ 30 Watts

•Capable of Handling 5:1 VSWR, @ 26 Vdc, 30 Watts CW Output Power

•Internally Matched for Ease of Use

•High Gain, High Efficiency and High Linearity

•Integrated ESD Protection

•Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness

•Excellent Thermal Stability

•Low Gold Plating Thickness on Leads, 40µ″ Nominal.

•RoHS Compliant

•In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 32 mm, 13 inch Reel.

技术参数

  • 型号:

    MRF18030BL

  • 制造商:

    FREESCALE

  • 制造商全称:

    Freescale Semiconductor, Inc

  • 功能描述:

    RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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