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MRF18030AL中文资料1800-1880 MHz, 30 W, 26 V GSM/GSM EDGE Lateral N-Channel RF Power MOSFETs数据手册恩XP规格书

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厂商型号

MRF18030AL

功能描述

1800-1880 MHz, 30 W, 26 V GSM/GSM EDGE Lateral N-Channel RF Power MOSFETs

制造商

恩XP

中文名称

N智浦

数据手册

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更新时间

2025-9-23 18:47:00

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MRF18030AL规格书详情

描述 Description

Overview MRF18030ALR3, MRF18030ALSR3 removed from active portfolio. View replacement parts via Part Number Search.

特性 Features


•Typical GSM Performance:
Power Gain — 14 dB (Typ) @ 30 Watts
\tEfficiency — 50% (Typ) @ 30 Watts

•Capable of Handling 5:1 VSWR, @ 26 Vdc, 30 Watts CW Output Power

•Internally Matched for Ease of Use

•High Gain, High Efficiency and High Linearity

•Integrated ESD Protection

•Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness

•Low Gold Plating Thickness on Leads, 40µ″ Nominal.

•RoHS Compliant

•In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 32 mm, 13 inch Reel.

技术参数

  • 型号:

    MRF18030AL

  • 功能描述:

    IC MOSFET RF N-CHAN NI-400S

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> RF FET

  • 系列:

    -

  • 产品目录绘图:

    MOSFET SOT-23-3 Pkg

  • 标准包装:

    3,000

  • 晶体管类型:

    N 通道 JFET

  • 频率:

    -

  • 增益:

    - 电压 -

  • 测试:

    -

  • 额定电流:

    30mA

  • 噪音数据:

    - 电流 -

  • 测试:

    - 功率 -

  • 输出:

    - 电压 -

  • 额定:

    25V

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商设备封装:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 包装:

    带卷(TR)

  • 产品目录页面:

    1558(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称:

    MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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