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MRF18060BL数据手册恩XP中文资料规格书

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厂商型号

MRF18060BL

功能描述

1930-1990 MHz, 60 W, 26 V Lateral N-Channel RF Power MOSFETs

制造商

恩XP 恩XP

中文名称

N智浦

数据手册

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更新时间

2025-8-8 9:16:00

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MRF18060BL规格书详情

描述 Description

Overview MRF18060BLR3, MRF18060BLSR3 removed from active portfolio. View replacement parts via Part Number Search.

特性 Features


•GSM Performance, Full Frequency Band (1930 – 1990 MHz)
Power Gain: 13 dB (Typ) @ 60 Watts CW
\tEfficiency: 45% (Typ) @ 60 Watts CW

•Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 26 Vdc, 1960 MHz, 60 Watts CW Output Power

•Internally Matched for Ease of Use

•High Gain, High Efficiency and High Linearity

•Integrated ESD Protection

•Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness

•Excellent Thermal Stability

•Available with Low Gold Plating Thickness on Leads. L Suffix Indicates 40µ″ Nominal.

•RoHS Compliant

•In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 56 mm, 13 inch Reel.

技术参数

  • 型号:

    MRF18060BL

  • 制造商:

    FREESCALE

  • 制造商全称:

    Freescale Semiconductor, Inc

  • 功能描述:

    RF Power Field Effect Transistor

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