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MRF18085BL规格书详情
描述 Description
Overview MRF18085BLR3, MRF18085BLSR3 removed from active portfolio. View replacement parts via Part Number Search.
特性 Features
•GSM and GSM EDGE Performance,Full Frequency Band (1930–1990 MHz)
Power Gain: 12.5 dB (Typ) @ 85 Watts CW
Efficiency: 50% (Typ) @ 85 Watts CW
•Capable of Handling 5:1 VSWR, @ 26 Vdc, 1960 MHz, 85 Watts CW Output Power
•Internally Matched for Ease of Use
•High Gain, High Efficiency and High Linearity
•Integrated ESD Protection
•Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness
•Excellent Thermal Stability
•Characterized with Series Equivalent Large–Signal Impedance Parameters.
•Available with Low Gold Plating Thickness on Leads. L Suffix Indicates 40µ″ Nominal.
•RoHS Compliant
•In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 56 mm, 13 inch Reel.
技术参数
- 型号：
MRF18085BL
- 功能描述：
MOSFET N-CHAN 85W 26V NI-78O
- RoHS：
是
- 类别：
分离式半导体产品 >> RF FET
- 系列：
-
- 产品目录绘图：
MOSFET SOT-23-3 Pkg
- 标准包装：
3,000
- 晶体管类型：
N 通道 JFET
- 频率：
-
- 增益：
- 电压 -
- 测试：
-
- 额定电流：
30mA
- 噪音数据：
- 电流 -
- 测试：
- 功率 -
- 输出：
- 电压 -
- 额定：
25V
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：
SOT-23-3（TO-236）
- 包装：
带卷(TR)
- 产品目录页面：
1558(CN2011-ZH PDF)
- 其它名称：
MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
N/A |
48000 |
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询价 | |||
FREESCALE |
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FREESCALE |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
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恩XP |
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