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DXT2907A	文件：191.61 Kbytes Page：4 Pages	PNPSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •BVCEO>-60V •IdealforMediumPowerSwitchingorAmplificationApplications •IdeallySuitedforAutomatedAssemblyProcesses •ComplementaryNPNTypeAvailable(DXT2222A) •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Devic	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
DXT2907A	文件：238.05 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFPNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description Designedforgeneralpurposeamplifierandhigh-speed,medium-powerswitchingapplications.	DCCOMDc Components 直流元件直流元件有限公司	DCCOM
DZT2907A	文件：206.32 Kbytes Page：4 Pages	PNPSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryNPNTypeAvailable(DZT2222A) •IdeallySuitedforAutomatedAssemblyProcesses •IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching •LeadFreeByDesign/RoHSCompliant(Note1) •GreenDevice(Note2)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
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FFB2907A	文件：62.56 Kbytes Page：5 Pages	PNPMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier PNPMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedforuseasageneralpurposeamplifierandswitchrequiring collectorcurrentsto500mA.SourcedfromProcess63.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FJX2907	文件：40.08 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTransistor PNPEpitaxialSiliconTransistor GeneralPurposeTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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FMBT2907	文件：616.1 Kbytes Page：9 Pages	600mAGeneralPurposePNPEpitaxialPlanarTransistor 600mAGeneralPurposePNPEpitaxialPlanarTransistor Features •Highcollector-emitterbreakdienvoltage. (BVCEO=-60V@IC=-10mA) •PNPsiliconepitaxialplanartransistor,isdesignedforgeneral purposeandamplifierapplications. •Ascomplementarytype,theNPNtransistorFMBT2222/	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
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FMBT2907AW	文件：71.57 Kbytes Page：9 Pages	PNPSMDTransistor 600mAGeneralPurposeTransistorPNPSilicon Features •Highcollector-emitterbreakdownvoltage (BVCEO=-60V@IC=-10mA) •PNPsiliconepitaxialplanartransistor,isdesignedforgeneral purposeandamplifierapplications. •Capableof150mWpowerdissipation. •Lead-freepartsfor	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
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FXT2907A	文件：68.06 Kbytes Page：2 Pages	PNPSILICONPLANARSWITCHINGTRANSISTOR FEATURES 60VoltVCEO Fastswitching	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FZT2907	文件：39 Kbytes Page：2 Pages	SOT223PNPSILICONPLANARSWITCHINGTRANSISTOR	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

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产品属性

产品编号：
MPS2907ARLRAG
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.6V @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
10nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 150mA，10V
频率 - 跃迁：
200MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 长基体（成形引线）
供应商器件封装：
TO-92（TO-226）
描述：
TRANS PNP 60V 0.6A TO92

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