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FMBT2907	文件：616.1 Kbytes Page：9 Pages	600mA General Purpose PNP Epitaxial Planar Transistor 600mA General Purpose PNP Epitaxial Planar Transistor Features • High collector-emitterbreakdien voltage. (BVCEO = -60V@IC=-10mA) • PNP silicon epitaxial planar transistor, is designed for general purpose and amplifier applications. • As complementary type, the NPN transistor FMBT2222/ 文件：616.1 Kbytes 页数：9 Pages	FORMOSA 美丽微半导体	FORMOSA
FMBT2907	文件：300 bytes Page：1 Pages	600mA General Purpose PNP Epitaxial Planar Transistor	FormosaMS 美丽微半导体	FormosaMS
FMBT2907A	文件：616.1 Kbytes Page：9 Pages	600mA General Purpose PNP Epitaxial Planar Transistor 600mA General Purpose PNP Epitaxial Planar Transistor Features • High collector-emitterbreakdien voltage. (BVCEO = -60V@IC=-10mA) • PNP silicon epitaxial planar transistor, is designed for general purpose and amplifier applications. • As complementary type, the NPN transistor FMBT2222/ 文件：616.1 Kbytes 页数：9 Pages	FORMOSA 美丽微半导体	FORMOSA
FMBT2907AW	文件：71.57 Kbytes Page：9 Pages	PNP SMD Transistor 600mA General Purpose Transistor PNP Silicon Features • High collector-emitter breakdown voltage (BVCEO = -60V@IC =-10mA) • PNP silicon epitaxial planar transistor, is designed for general purpose and amplifier applications. • Capable of 150mW power dissipation. • Lead-free parts for 文件：71.57 Kbytes 页数：9 Pages	FORMOSA 美丽微半导体	FORMOSA
FMBT2907A-H	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistors	FormosaMS 美丽微半导体	FormosaMS
FMBT2907ATE	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistors	FormosaMS 美丽微半导体	FormosaMS

技术参数

Package：
SOT-23
Polarity：
PNP
VCBOMax.(V)：
-60
VCEOMax.(V)：
-60
VEBOMax.(V)：
-5
ICMax.(A)：
-0.6
PD(W)：
0.35
hFE@VCE(V)：
-10
hFE@IC(mA)：
-150
hFEMin.：
100
hFEMax.：
300
VCE(sat)Max.(V)：
-0.4
VCE(sat)@IC(mA)：
-150
VCE(sat)@IB(mA)：
-15
fTMin.(MHz)：
200

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市博中泰实业有限公司	FMBT2907A-H	FMS/美丽微	24+	SOT23	60000		询价
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深圳市安富世纪电子有限公司	FMBT3904	FORMOSA	23+	SOT23-3	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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深圳市科芯源微电子有限公司	FMBT3904	FAIRCHILD/仙童	25+	SOT153	2965	原装正品,假一罚十!	询价
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更多FMBT2907供应商更新时间2026-1-17 9:03:00

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