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MPSA13	文件：124.01 Kbytes Page：1 Pages	NPN DARLINGTON TRANSISTOR NPNEPITAXIALPLANARDARLINGTONTRANSISTORS	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
MPSA13	文件：605.7 Kbytes Page：13 Pages	NPN Darlington Transistor NPNDarlingtonTransistor •ThisdeviceisdesignedforapplicationsrequiringextremelyhighCurrentgain atcollectorCurrentsto1.0A. •Sourcedfromprocess05.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MPSA13	文件：62.59 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE DARLINGTON TRANSISTOR) GENERALPURPOSEAPPLICATIONS. DARLINGTONTRANSISTOR.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
MPSA13	文件：433.2 Kbytes Page：4 Pages	NPN Silicon Darlington Transistor Features •HalogenFreeAvailableUponRequestByAddingSuffix-HF •MoistureSensitivityLevel1 •EpoxyMeetsUL94V-0FlammabilityRating •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixDesignatesRoHS Compliant.SeeOrderingInformation) MaximumRatings@25°CUnlessOtherwiseSpecified	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MPSA13	文件：500.04 Kbytes Page：4 Pages	Plastic-Encapsulate Transistros NPN Darlington Transistor Plastic-EncapsulateTransistros NPNDarlingtonTransistor P/bLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
MPSA13	文件：92.96 Kbytes Page：3 Pages	DARLINGTON TRANSISTOR DESCRIPTION TheUTCMPSA13isaDarlingtontransistor. FEATURES *Collector-EmitterVoltage:VCES=30V	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
MPSA13	文件：86.49 Kbytes Page：2 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR DARLINGTON TRANSISTORS NPNEPITAXIALPLANARDARLINGTONTRANSISTORS	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司	TEL
MPSA13	文件：130.33 Kbytes Page：1 Pages	NPN Silicon Epitaxial Planar Transistors PNPSILICONEPITAXIALPOWERTRANSISTOR Thesedevicesareintendedforuseinaudiofrequencypoweramplifierandlowspeedswitchingapplications	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
MPSA13	文件：213.14 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN DARLINGTON TRANSISTOR Description Designedforapplicationsrequiringextremelyhighcurrentgain.	DCCOM Dc Components	DCCOM
MPSA13	文件：590.38 Kbytes Page：1 Pages	TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors	DAYADaya Electric Group Co., Ltd. 大亚电器集团大亚电器集团有限公司	DAYA

技术参数

Type：
NPN
Number of Elements per Chip：
1
Minimum Operating Temperature：
-55°C
Minimum DC Current Gain：
5000@10mA@5V
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Emitter Base Voltage：
10V
Maximum Continuous DC Collector Current：
0.5A
Maximum Collector Emitter Voltage：
30V
Maximum Collector Base Voltage：
30V
Configuration：
Single

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