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MPSA13	文件：172.84 Kbytes Page：3 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor DarlingtonTRANSISTOR FEATURES Powerdissipation PCM:0.625W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.5A Collector-basevoltage V(BR)CBO:30V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
MPSA13	文件：225.91 Kbytes Page：6 Pages	Darlington Transistors DarlingtonTransistors NPNSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MPSA13	文件：207.63 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR (NPN) TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●DarlingtonTransistors	FS First Silicon Co., Ltd	FS
MPSA13	文件：665.79 Kbytes Page：3 Pages	SILICON NPN DARLINGTON TRANSISTORS DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORMPSA12seriesdevicesaresiliconNPNDarlingtontransistors,manufacturedbytheepitaxialplanarprocess,designedforapplicationsrequiringextremelyhighgain.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
MPSA13	文件：1.1785 Mbytes Page：4 Pages	TRANSISTOR (NPN) TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●DarlingtonTransistors	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
MPSA13	文件：551.81 Kbytes Page：3 Pages	NPN Darlington Transistor ■FEATURES NPNDarlingtonTransistor	GSMEGuilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd. 桂微桂林斯壮桂微电子有限责任公司	GSME
MPSA13	文件：298.52 Kbytes Page：3 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR DARLINGTON TRANSISTORS NPNEPITAXIALPLANARDARLINGTONTRANSISTORS	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
MPSA13	文件：511.46 Kbytes Page：2 Pages	Darlington Transistors DarlingtonTransistors NPNSilicon	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MPSA13	文件：138.58 Kbytes Page：1 Pages	Darlington TRANSISTOR (NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:0.625W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.5A Collector-basevoltage V(BR)CBO:30V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
MPSA13	文件：1.02488 Mbytes Page：6 Pages	Silicon NPN transistor in a TO-92 Plastic Package Descriptions SiliconNPNtransistorinaTO-92PlasticPackage. Features Highcurrentgain. Applications Applicationsrequiringextremelyhighcurrentgaindevicedesigned.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN

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详细参数

型号：
MPSA13
功能描述：
两极晶体管 - BJT -
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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