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MPSA13分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

MPSA13

参数属性

MPSA13 封装/外壳为TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线;包装为带盒(TB);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN DARL 30V 1.2A TO92-3

功能描述

NPN Epitaxial Silicon Transistor

封装外壳

TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线

文件大小

172.84 Kbytes

页面数量

3

生产厂商

SECOS

中文名称

喜可士

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更新时间

2026-2-5 16:50:00

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MPSA13规格书详情

Darlington TRANSISTOR

FEATURES

Power dissipation

PCM: 0.625 W (Tamb=25℃)

Collector current

ICM: 0.5 A

Collector-base voltage

V(BR)CBO: 30 V

Operating and storage junction temperature range

TJ, Tstg: -55℃ to +150℃

产品属性

  • 产品编号:

    MPSA13_D27Z

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    带盒(TB)

  • 晶体管类型:

    NPN - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.5V @ 100µA,100mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    10000 @ 100mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    125MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线

  • 供应商器件封装:

    TO-92-3

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 30V 1.2A TO92-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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