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FFB2907A	文件：62.56 Kbytes Page：5 Pages	PNP Multi-Chip General Purpose Amplifier PNPMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedforuseasageneralpurposeamplifierandswitchrequiring collectorcurrentsto500mA.SourcedfromProcess63.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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FFB2907A_1	文件：90.05 Kbytes Page：7 Pages	PNP Multi-Chip General Purpose Amplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FJX2907	文件：40.08 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTransistor PNPEpitaxialSiliconTransistor GeneralPurposeTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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FJX2907A	文件：45.56 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTransistor PNPEpitaxialSiliconTransistor GeneralPurposeTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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FMB2907A	文件：62.56 Kbytes Page：5 Pages	PNPMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier PNPMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedforuseasageneralpurposeamplifierandswitchrequiring collectorcurrentsto500mA.SourcedfromProcess63.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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FMBT2907	文件：616.1 Kbytes Page：9 Pages	600mAGeneralPurposePNPEpitaxialPlanarTransistor 600mAGeneralPurposePNPEpitaxialPlanarTransistor Features •Highcollector-emitterbreakdienvoltage. (BVCEO=-60V@IC=-10mA) •PNPsiliconepitaxialplanartransistor,isdesignedforgeneral purposeandamplifierapplications. •Ascomplementarytype,theNPNtransistorFMBT2222/	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA

详细参数

型号：
FFB2907A
功能描述：
两极晶体管 - BJT PNP Multi-Chip Trans General Purpose
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FFB2907A供应商更新时间2025-7-24 16:51:00

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