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OPA4350UA	文件：1.22353 Mbytes Page：29 Pages	High-Speed,Single-Supply,Rail-to-RailOPERATIONALAMPLIFIERSMicroAmplifierSeries	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
PB4350	文件：162.23 Kbytes Page：9 Pages	50VlowVCEsatNPNtransistor	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
PB4350	文件：162.23 Kbytes Page：9 Pages	50VlowVCEsatNPNtransistor DESCRIPTION NPNlowVCEsattransistorinaSOT223plasticpackage.PNPcomplement:PBSS5350Z. FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Highcollectorcurrentcapability:ICandICM •Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC •Higherefficiencyleadingtolessheatgeneration	ETC	ETC
PB4350	文件：83.83 Kbytes Page：12 Pages	50VlowVCEsatNPNtransistor DESCRIPTION NPNlowVCEsattransistorinaSOT223plasticpackage.PNPcomplement:PBSS5350Z. FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Highcollectorcurrentcapability:ICandICM •Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC •Higherefficiencyleadingtolessheatgeneration	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
PBSS4350	文件：70.54 Kbytes Page：8 Pages	NPNtransistor DESCRIPTION NPNlowVCEsattransistorinaSOT457(SC-74)plasticpackage.PNPcomplement:PBSS5350D. FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Highcurrentcapability •Improveddevicereliabilityduetoreducedheatgeneration •ReplacementforSOT89/SOT223standar	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
PBSS4350	文件：79 Kbytes Page：8 Pages	50VlowVCEsatNPNtransistor DESCRIPTION NPNlowVCEsattransistorinaSOT54plasticpackage.PNPcomplement:PBSS5350S. FEATURES •Highpowerdissipation(830mW) •Ultralowcollector-emittersaturationvoltage •3Acontinuouscurrent •Highcurrentswitching •Improveddevicereliabilityduetoreducedheatgenerat	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
PBSS4350D	文件：316.41 Kbytes Page：9 Pages	50VlowVCEsatNPNtransistor DESCRIPTION NPNlowVCEsattransistorinaSOT457(SC-74)plasticpackage.PNPcomplement:PBSS5350D. FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Highcurrentcapability •Improveddevicereliabilityduetoreducedheat generation •ReplacementforSOT89/SOT223standardpackage	ETC	ETC
PBSS4350D	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
PBSS4350D	文件：70.54 Kbytes Page：8 Pages	NPNtransistor DESCRIPTION NPNlowVCEsattransistorinaSOT457(SC-74)plasticpackage.PNPcomplement:PBSS5350D. FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Highcurrentcapability •Improveddevicereliabilityduetoreducedheatgeneration •ReplacementforSOT89/SOT223standar	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
PBSS4350D	文件：503.85 Kbytes Page：10 Pages	50VlowVCEsatNPNtransistor FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Highcurrentcapability •Improveddevicereliabilityduetoreducedheatgeneration •ReplacementforSOT89/SOT223standardpackagedtransistorsduetoenhancedperformance. APPLICATIONS •Supplylineswitchingcircuits •Batterymanagement	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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技术参数

最小输入电压（V）：
4.5
最大输入电压（V）：
20
最大输出电流（A）：
2.5
典型静态电流（mA）：
0.1
反馈电压 (V)：
0.8
最大开关频率（kHz）：
4000
共同特性：
轻载效率
特性：
可调开关频率
控制模式：
电流控制模式
封装：
QFN-10 (3x3)
等级：
目录
MPSafe：
1
MPL：
0
Product URL：
https

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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