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丝印:MP1923;Package:QFN-8;100V, 8A, High-Frequency,Half-Bridge Gate Driver,AEC-Q100 Qualified DESCRIPTION The MPQ1923-AEC1 is a high-frequency, Nchannel MOSFET, half-bridge gate driver. The device’s low-side MOSFET (LS-FET) and highside MOSFET (HS-FET) driver channels are controlled independently, and are matched with 文件:851.08 Kbytes 页数:21 Pages | MPSIND 美国芯源 | MPSIND | ||
丝印:MP1923;Package:QFN-10;100V, 8A, High-Frequency,Half-Bridge Gate Driver,AEC-Q100 Qualified DESCRIPTION The MPQ1923-AEC1 is a high-frequency, Nchannel MOSFET, half-bridge gate driver. The device’s low-side MOSFET (LS-FET) and highside MOSFET (HS-FET) driver channels are controlled independently, and are matched with 文件:851.08 Kbytes 页数:21 Pages | MPSIND 美国芯源 | MPSIND | ||
丝印:MP1924;Package:SOIC-8;100V, 4A, High Frequency Half-Bridge Gate Driver 文件:790.03 Kbytes 页数:14 Pages | MPS 美国芯源 | MPS | ||
100V、2.5A 高频半桥栅极驱动 MP1907 是一款高频、100V、半桥、N-通道功率 MOSFET 驱动器。其低端和高端通道驱动通道被分别独立控制,且匹配时间延迟小于 5ns。高低两端驱动电压的欠压锁定保护在供电不足时强制低输出。检测到输入上升沿时两端的恢复正常输出。集成自举二极管减少了外部元器件的使用。 • 驱动 N-通道 MOSFET 半桥\n• 100V VBST 电压范围\n• 输入信号重叠保护\n• 集成自举二极管\n• 20ns 的典型延迟\n• 小于 5ns 的栅极驱动失配\n• 12V VDD 时驱动 1nF 负载具有 15ns 的上升时间和 9ns 的下降时间\n• TTL 可兼容输入\n• 静态电流小于 150μA \n• 关断电流小于 5μA\n• 用于高低两端驱动电压的欠压锁定保护\n• 采用 3×3mm QFN10 封装; | MPS 美国芯源 | MPS | ||
100V、2.5A 高频半桥栅极驱动器 MP1907A 是一款高频 100V 半桥 N-通道功率 MOSFET 驱动器。其低端和高端驱动通道分别独立控制,且匹配时间延迟小于 5ns。高低两端驱动电压的欠压锁定保护(UVLO),在供电不足时强制低输出。检测到输入上升沿时两个输出保持低电平。集成自举二极管减少了外部部件的使用。\n\n MP1907A 采用 QFN-10(3mmx3mm)封装。 • 驱动半桥 N 通道 MOSFET\n• 100V VBST电压范围\n• 集成自举二极管\n• 20ns 典型延迟\n• >5ns 栅极驱动失配\n• 12V VDD时驱动 1nF 负载需要 12ns 的上升时间和 9ns 的下降时间\n• 兼容 TTL 输入\n• >150μA 静态电流\n• 关断电流 >1μA\n• 用于高低两端驱动电压的欠压锁定保护\n• 采用 QFN-10(3mmx3mm)封装; | MPS 美国芯源 | MPS | ||
30V、2.2MHz、2A 半桥栅极驱动器,采用 SOT583 封装 MP1909 是一款高频 30V 半桥 N-通道功率 MOSFET 驱动器。其低端和高端驱动通道由信号输入进行控制。内部自适应死区时间控制电路降低了开关损耗并防止直通。当 EN 引脚拉低时,两个输出会被禁用。集成自举二极管减少了外部部件的使用。欠压锁定(UVLO)可防止 IC 在供电不足的情况下工作,过温关断保护可防止其出现过温(OT)状况。\n\n MP1909 采用 8 引脚 SOT583(1.6mmx2.1mm)封装。 • 驱动半桥 N 通道 MOSFET\n• VBST电压高达 50V\n• 栅极驱动电压:4.5V 至 12V\n• 集成自举二极管\n• 高达 2.2MHz 开关频率\n• 一个 PWM 信号可产生两个驱动信号\n• 低静态电流\n• 支持 100% 占空比\n• 用于高端和低端栅极驱动的欠压锁定保护(UVLO)\n• 采用 8 引脚 SOT583(1.6mmx2.1mm)封装; | MPS 美国芯源 | MPS | ||
Package:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC | MPS 美国芯源 | MPS | ||
Package:10-VFDFN 裸露焊盘;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10QFN | MPS 美国芯源 | MPS | ||
Package:10-VFDFN 裸露焊盘;包装:卷带(TR) 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10QFN | MPS 美国芯源 | MPS |
技术参数
- MPS库存:
从MPS官网购买
- 最小输入电压(V):
10
- 最大输入电压(V):
16
- 最大自举电压(V):
80
- 峰值上拉电流(A):
0.35
- 峰值下拉电流(A):
1
- 上升时间(ns):
50
- 下降时间(ns):
30
- 启动延时(ns):
80
- 关机延时(ns):
80
- 封装:
SOIC-8
- 等级:
目录
- MPSafe:
1
- MPL:
0
- Product URL:
https
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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QFN-10 |
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