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MPQ1923GR-AEC1

丝印:MP1923;Package:QFN-8;100V, 8A, High-Frequency,Half-Bridge Gate Driver,AEC-Q100 Qualified

DESCRIPTION The MPQ1923-AEC1 is a high-frequency, Nchannel MOSFET, half-bridge gate driver. The device’s low-side MOSFET (LS-FET) and highside MOSFET (HS-FET) driver channels are controlled independently, and are matched with

文件:851.08 Kbytes 页数:21 Pages

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美国芯源

MPQ1923GRE-AEC1

丝印:MP1923;Package:QFN-10;100V, 8A, High-Frequency,Half-Bridge Gate Driver,AEC-Q100 Qualified

DESCRIPTION The MPQ1923-AEC1 is a high-frequency, Nchannel MOSFET, half-bridge gate driver. The device’s low-side MOSFET (LS-FET) and highside MOSFET (HS-FET) driver channels are controlled independently, and are matched with

文件:851.08 Kbytes 页数:21 Pages

MPSIND

美国芯源

MPQ1924HS

丝印:MP1924;Package:SOIC-8;100V, 4A, High Frequency Half-Bridge Gate Driver

文件:790.03 Kbytes 页数:14 Pages

MPS

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MP1907

100V、2.5A 高频半桥栅极驱动

MP1907 是一款高频、100V、半桥、N-通道功率 MOSFET 驱动器。其低端和高端通道驱动通道被分别独立控制,且匹配时间延迟小于 5ns。高低两端驱动电压的欠压锁定保护在供电不足时强制低输出。检测到输入上升沿时两端的恢复正常输出。集成自举二极管减少了外部元器件的使用。 • 驱动 N-通道 MOSFET 半桥\n• 100V VBST 电压范围\n• 输入信号重叠保护\n• 集成自举二极管\n• 20ns 的典型延迟\n• 小于 5ns 的栅极驱动失配\n• 12V VDD 时驱动 1nF 负载具有 15ns 的上升时间和 9ns 的下降时间\n• TTL 可兼容输入\n• 静态电流小于 150μA \n• 关断电流小于 5μA\n• 用于高低两端驱动电压的欠压锁定保护\n• 采用 3×3mm QFN10 封装;

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MP1907A

100V、2.5A 高频半桥栅极驱动器

MP1907A 是一款高频 100V 半桥 N-通道功率 MOSFET 驱动器。其低端和高端驱动通道分别独立控制,且匹配时间延迟小于 5ns。高低两端驱动电压的欠压锁定保护(UVLO),在供电不足时强制低输出。检测到输入上升沿时两个输出保持低电平。集成自举二极管减少了外部部件的使用。\n\n MP1907A 采用 QFN-10(3mmx3mm)封装。 • 驱动半桥 N 通道 MOSFET\n• 100V VBST电压范围\n• 集成自举二极管\n• 20ns 典型延迟\n• >5ns 栅极驱动失配\n• 12V VDD时驱动 1nF 负载需要 12ns 的上升时间和 9ns 的下降时间\n• 兼容 TTL 输入\n• >150μA 静态电流\n• 关断电流 >1μA\n• 用于高低两端驱动电压的欠压锁定保护\n• 采用 QFN-10(3mmx3mm)封装;

MPS

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MP1909

30V、2.2MHz、2A 半桥栅极驱动器,采用 SOT583 封装

MP1909 是一款高频 30V 半桥 N-通道功率 MOSFET 驱动器。其低端和高端驱动通道由信号输入进行控制。内部自适应死区时间控制电路降低了开关损耗并防止直通。当 EN 引脚拉低时,两个输出会被禁用。集成自举二极管减少了外部部件的使用。欠压锁定(UVLO)可防止 IC 在供电不足的情况下工作,过温关断保护可防止其出现过温(OT)状况。\n\n MP1909 采用 8 引脚 SOT583(1.6mmx2.1mm)封装。 • 驱动半桥 N 通道 MOSFET\n• VBST电压高达 50V\n• 栅极驱动电压:4.5V 至 12V\n• 集成自举二极管\n• 高达 2.2MHz 开关频率\n• 一个 PWM 信号可产生两个驱动信号\n• 低静态电流\n• 支持 100% 占空比\n• 用于高端和低端栅极驱动的欠压锁定保护(UVLO)\n• 采用 8 引脚 SOT583(1.6mmx2.1mm)封装;

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MP1906DS-LF-Z

Package:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

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MP1907AGQ-P

Package:10-VFDFN 裸露焊盘;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10QFN

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MP1907AGQ-Z

Package:10-VFDFN 裸露焊盘;包装:卷带(TR) 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10QFN

MPS

美国芯源

技术参数

  • MPS库存:

    从MPS官网购买

  • 最小输入电压(V):

    10

  • 最大输入电压(V):

    16

  • 最大自举电压(V):

    80

  • 峰值上拉电流(A):

    0.35

  • 峰值下拉电流(A):

    1

  • 上升时间(ns):

    50

  • 下降时间(ns):

    30

  • 启动延时(ns):

    80

  • 关机延时(ns):

    80

  • 封装:

    SOIC-8

  • 等级:

    目录

  • MPSafe:

    1

  • MPL:

    0

  • Product URL:

    https

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更多MP19供应商 更新时间2025-9-26 16:25:00