MP19

Metal pushbutton switch, 1 million cycles, IP67, IK10

MP1907A

100V、2.5A 高频半桥栅极驱动器; • 驱动半桥 N 通道 MOSFET\n• 100V VBST电压范围\n• 集成自举二极管\n• 20ns 典型延迟\n• >5ns 栅极驱动失配\n• 12V VDD时驱动 1nF 负载需要 12ns 的上升时间和 9ns 的下降时间\n• 兼容 TTL 输入\n• >150μA 静态电流\n• 关断电流 >1μA\n• 用于高低两端驱动电压的欠压锁定保护\n• 采用 QFN-10（3mmx3mm）封装\n;

MP1907A 是一款高频 100V 半桥 N-通道功率 MOSFET 驱动器。其低端和高端驱动通道分别独立控制，且匹配时间延迟小于 5ns。高低两端驱动电压的欠压锁定保护（UVLO），在供电不足时强制低输出。检测到输入上升沿时两个输出保持低电平。集成自举二极管减少了外部部件的使用。\n\n MP1907A 采用 QFN-10（3mmx3mm）封装。\n\n

MP1909

30V, 2.2MHz, 2A Half-Bridge Gate Driver in SOT583 Package

DESCRIPTION TheMP1909isahigh-frequency,30V,halfbridge, N-channelpowerMOSFETdriver.Its low-sideandhigh-sidedriverchannelsare controlledbyasignalinput.Internaladaptive deadtimecontrolcircuitryreducestheswitching powerlossandpreventsshoot-through. Bothoutputsar

MP1909GTL

Marking：BFZ；Package：SOT583；30V, 2.2MHz, 2A Half-Bridge Gate Driver in SOT583 Package

DESCRIPTION TheMP1909isahigh-frequency,30V,halfbridge, N-channelpowerMOSFETdriver.Its low-sideandhigh-sidedriverchannelsare controlledbyasignalinput.Internaladaptive deadtimecontrolcircuitryreducestheswitching powerlossandpreventsshoot-through. Bothoutputsar

MP1909GTL-Z

30V, 2.2MHz, 2A Half-Bridge Gate Driver in SOT583 Package

DESCRIPTION TheMP1909isahigh-frequency,30V,halfbridge, N-channelpowerMOSFETdriver.Its low-sideandhigh-sidedriverchannelsare controlledbyasignalinput.Internaladaptive deadtimecontrolcircuitryreducestheswitching powerlossandpreventsshoot-through. Bothoutputsar

MP1917A

100V、4A 高频半桥栅极驱动器; • 驱动 N 通道 MOSFET 半桥\n• 115V 自举电压范围\n• 集成自举二极管\n• 20ns 典型延迟\n• 栅极驱动器匹配时间小于 5ns\n• 12V VDD 时驱动 2.2nF 负载具有 15ns 的上升时间和 12ns 的下降时间\n• 兼容 TTL 输入\n• 静态电流小于 150µA\n• 用于高端和低端栅极驱动器的 UVLO\n• QFN-10（4mmx4mm）封装\n;

MP1917A 是一款高频半桥 N 通道功率 MOSFET 驱动器。其低端和高端驱动通道分别独立控制，且匹配时间延迟小于 5ns。高低两端驱动电压的欠压锁定保护（UVLO）功能在供电不足时强制低输出。集成自举二极管减少了外部元器件的使用。\n\n MP1917A 采用 QFN-10（4mmx4mm）封装。\n\n

MP1921A

2.5A, 100V高频半桥栅极驱动器; • 驱动 N沟道 MOSFET 半桥\n• 120V VBST 电压范围\n• 集成自举二极管\n• 16ns 典型传播延时\n• 栅极驱动匹配时间小于 5ns\n• 12V VDD 时驱动 1nf 负载需要 12ns 上升时间和 9ns 下降时间\n• TTL兼容输入\n• 静态电流小于 150µA\n• 上下管均具备欠压锁定保护\n• 采用 SOIC8E/3mmx3mm QFN-8/3mmx3mm QFN-9/4mmx4mm QFN-10封装\n;

MP1921A 是一款100V高频半桥N沟道功率MOSFET驱动器。其上下管驱动通道被分别独立控制，匹配时延小于 5ns。上下管均具备欠压锁定保护（UVLO）功能，在供电电压不足时强制输出低电平。集成自举二极管减少了外部元器件的使用数量。\n\n

MP1922

100V, 3A, Single-Channel,Half-Bridge Pre-Driver IC

FEATURES •Supports100VSupplyOperation •3ASource,4ASinkGateDriveCurrent •InternalChargePumpandAuto-Refreshfor High-Side(HS)GateDrive •IntegratedCurrent-SenseAmplifier •Low-PowerSleepMode •ProgrammableControlledSlewRate •DesaturationProtectionofExternal MOS

MP1922GV

Marking：MP1922；Package：QFN-22；100V, 3A, Single-Channel,Half-Bridge Pre-Driver IC

FEATURES •Supports100VSupplyOperation •3ASource,4ASinkGateDriveCurrent •InternalChargePumpandAuto-Refreshfor High-Side(HS)GateDrive •IntegratedCurrent-SenseAmplifier •Low-PowerSleepMode •ProgrammableControlledSlewRate •DesaturationProtectionofExternal MOS

MP1922GV-Z

100V, 3A, Single-Channel,Half-Bridge Pre-Driver IC

FEATURES •Supports100VSupplyOperation •3ASource,4ASinkGateDriveCurrent •InternalChargePumpandAuto-Refreshfor High-Side(HS)GateDrive •IntegratedCurrent-SenseAmplifier •Low-PowerSleepMode •ProgrammableControlledSlewRate •DesaturationProtectionofExternal MOS