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MP1907AGQ-P	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：10-VFDFN 裸露焊盘；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10QFN	MPSMonolithic Power Systems Inc. 美国芯源美国芯源系统有限公司	MPS
MP1907GQ	文件：336.5 Kbytes Page：15 Pages	100V,2.5A,HighFrequencyHalf-bridgeGateDriver	MPSMonolithic Power Systems Inc. 美国芯源美国芯源系统有限公司	MPS
MP1907GQ	文件：212.26 Kbytes Page：6 Pages	100V,HighFrequencyHalf-BridgeGateDriverEVBoard	MPSMonolithic Power Systems Inc. 美国芯源美国芯源系统有限公司	MPS
NTE1907	文件：23.01 Kbytes Page：2 Pages	IntegratedCircuitNegative3TerminalVoltageRegulator,-18V,100mA Description: TheNTE1907isanegative3–terminalvoltageregulatorinaTO92typepackagesuitablefornumerousapplicationsrequiringupto100mA.ThisdevicefeaturesthermalshutdownandcurrentlimitingmakingtheNTE1907remarkablyrugged.Inmostapplications,noexternalcomponentsare	NTE NTE Electronics	NTE
QPQ1907	文件：449.41 Kbytes Page：7 Pages	Wi-Fi/LTEcoexBoostBAWFilter KeyFeatures •2447-2472MHz •LowlossinWi-FibandwithextendeduppercornerforinclusionofBluetooth •HighRejectioninLTEbandsespeciallyB7/B41 •ExtendedTemperatureperformanceover-20to+95C •SelfmatchedtoSingleEnded50Ohmoperation •Highpowerhandlingto+28dBmave	QORVOQorvo, Inc 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	QORVO
QPQ1907	文件：418.24 Kbytes Page：9 Pages	2.4GHzWi-Fi/BT/LTECo-ExistenceBAWFilter	QORVOQorvo, Inc 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	QORVO
QPQ1907SB	文件：418.24 Kbytes Page：9 Pages	2.4GHzWi-Fi/BT/LTECo-ExistenceBAWFilter	QORVOQorvo, Inc 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	QORVO
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QPQ1907SR	文件：449.41 Kbytes Page：7 Pages	Wi-Fi/LTEcoexBoostBAWFilter KeyFeatures •2447-2472MHz •LowlossinWi-FibandwithextendeduppercornerforinclusionofBluetooth •HighRejectioninLTEbandsespeciallyB7/B41 •ExtendedTemperatureperformanceover-20to+95C •SelfmatchedtoSingleEnded50Ohmoperation •Highpowerhandlingto+28dBmave	QORVOQorvo, Inc 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	QORVO
QPQ1907SR	文件：418.24 Kbytes Page：9 Pages	2.4GHzWi-Fi/BT/LTECo-ExistenceBAWFilter	QORVOQorvo, Inc 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	QORVO

产品属性

产品编号：
MP1907AGQ-P
制造商：
Monolithic Power Systems Inc.
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
驱动配置：
半桥
通道类型：
独立式
栅极类型：
N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
4.5V ~ 18V
逻辑电压 - VIL，VIH：
1V，2.4V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
2.5A，2.5A
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
12ns，9ns
工作温度：
-40°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
10-VFDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
10-QFN（3x3）
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10QFN

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更多MP1907AGQ-P供应商更新时间2025-7-28 16:12:00

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