100V, 2.5A, High Frequency Half-bridge Gate Driver

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100V、2.5A 高频半桥栅极驱动

MP1907 是一款高频、100V、半桥、N-通道功率 MOSFET 驱动器。其低端和高端通道驱动通道被分别独立控制，且匹配时间延迟小于 5ns。高低两端驱动电压的欠压锁定保护在供电不足时强制低输出。检测到输入上升沿时两端的恢复正常输出。集成自举二极管减少了外部元器件的使用。 • 驱动 N-通道 MOSFET 半桥\n• 100V VBST 电压范围\n• 输入信号重叠保护\n• 集成自举二极管\n• 20ns 的典型延迟\n• 小于 5ns 的栅极驱动失配\n• 12V VDD 时驱动 1nF 负载具有 15ns 的上升时间和 9ns 的下降时间\n• TTL 可兼容输入\n• 静态电流小于 150μA \n• 关断电流小于 5μA\n• 用于高低两端驱动电压的欠压锁定保护\n• 采用 3×3mm QFN10 封装;

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100V, 2.5A, High Frequency Half-bridge Gate Driver

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100V, High Frequency Half-Bridge Gate Driver EV Board

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100V、2.5A 高频半桥栅极驱动器

MP1907A 是一款高频 100V 半桥 N-通道功率 MOSFET 驱动器。其低端和高端驱动通道分别独立控制，且匹配时间延迟小于 5ns。高低两端驱动电压的欠压锁定保护（UVLO），在供电不足时强制低输出。检测到输入上升沿时两个输出保持低电平。集成自举二极管减少了外部部件的使用。\n\n MP1907A 采用 QFN-10（3mmx3mm）封装。 • 驱动半桥 N 通道 MOSFET\n• 100V VBST电压范围\n• 集成自举二极管\n• 20ns 典型延迟\n• >5ns 栅极驱动失配\n• 12V VDD时驱动 1nF 负载需要 12ns 的上升时间和 9ns 的下降时间\n• 兼容 TTL 输入\n• >150μA 静态电流\n• 关断电流 >1μA\n• 用于高低两端驱动电压的欠压锁定保护\n• 采用 QFN-10（3mmx3mm）封装;

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Package：10-VFDFN 裸露焊盘；包装：卷带（TR） 类别：集成电路（IC） 栅极驱动器 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10QFN

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Package：10-VFDFN 裸露焊盘；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：集成电路（IC） 栅极驱动器 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10QFN

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Package：10-VFDFN 裸露焊盘；包装：管件 类别：集成电路（IC） 栅极驱动器 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10QFN

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