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PBSM5240PF	文件：1.39791 Mbytes Page：20 Pages	40V,2APNPlowVCEsat(BISS)transistorwithN-channelTrenchMOSFET	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSM5240PFH	文件：1.44438 Mbytes Page：20 Pages	40V,2APNPlowVCEsat(BISS)transistorwithN-channelTrenchMOSFET 1.1Generaldescription CombinationofPNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorand N-channelTrenchMetal-OxideSemiconductorField-EffectTransistor(MOSFET).The deviceishousedinaleadlessmediumpowerDFN2020-6(SOT1118)Surface-Mounted Device(SMD)plasticpackag	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5240T	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS5240T	文件：76.67 Kbytes Page：9 Pages	40V,2APNPlowVCEsat(BISS)transistor DESCRIPTION PNPlowVCEsattransistorinaSOT23plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4240T. FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Highcurrentcapability •Improveddevicereliabilityduetoreducedheat generation •ReplacementforSOT89/SOT223standardpackaged	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS5240T	文件：980 Kbytes Page：9 Pages	40V,2APNPlowVCEsattransistor 1.Generaldescription PNPlowVCEsattransistorinasmallSOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plastic package. NPNcomplement:PBSS4240T 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Highcurrentcapability •Improveddevicereliabilityduetoreducedh	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5240T-Q	文件：207.75 Kbytes Page：9 Pages	40V,2APNPlowVCEsattransistor 1.Generaldescription PNPlowVCEsattransistorinasmallSOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plastic package. NPNcomplement:PBSS4240T-Q 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Highcurrentcapability •Improveddevicereliabilityduetoreduced	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5240V	文件：82.76 Kbytes Page：12 Pages	40VlowVCEsatPNPtransistor DESCRIPTION PNPtransistorprovidinglowVCEsatandhighcurrentcapabilityinaSOT666plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4240V. FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC •High	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS5240V	文件：219.9 Kbytes Page：10 Pages	40VlowVCEsatPNPtransistor 1.Generaldescription PNPtransistorprovidinglowVCEsatandhighcurrentcapabilityinaSOT666ultrasmallSurface- MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4240V 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcollectorcurrentcapabi	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5240X	文件：687.07 Kbytes Page：12 Pages	40V,2APNPlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinamediumpowerandflatleadSOT89Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage.NPNcomplement:PBSS4240X. Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcollectorcurrentcapa	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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