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PBSM5240PF	文件：1.39791 Mbytes Page：20 Pages	Marking：1G；Package：HUSON6；40 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor with N-channel Trench MOSFET	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSM5240PFH	文件：1.44438 Mbytes Page：20 Pages	Marking：1T；Package：DFN2020-6；40 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor with N-channel Trench MOSFET 1.1Generaldescription CombinationofPNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorand N-channelTrenchMetal-OxideSemiconductorField-EffectTransistor(MOSFET).The deviceishousedinaleadlessmediumpowerDFN2020-6(SOT1118)Surface-Mounted Device(SMD)plasticpackag	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSM5240PF,115	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：6-UFDFN 裸露焊盘；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 特殊用途描述：TRANS PNP N-CH SOT1118	Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.
PBSM5240PFH,115	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：6-UFDFN 裸露焊盘；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 特殊用途描述：TRANS PNP/N CH 40V 1.8A 6HUSON	Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.
PBSS5240T	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS5240T	文件：76.67 Kbytes Page：9 Pages	40V,2APNPlowVCEsat(BISS)transistor DESCRIPTION PNPlowVCEsattransistorinaSOT23plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4240T. FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Highcurrentcapability •Improveddevicereliabilityduetoreducedheat generation •ReplacementforSOT89/SOT223standardpackaged	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS5240T	文件：980 Kbytes Page：9 Pages	40V,2APNPlowVCEsattransistor 1.Generaldescription PNPlowVCEsattransistorinasmallSOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plastic package. NPNcomplement:PBSS4240T 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Highcurrentcapability •Improveddevicereliabilityduetoreducedh	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5240T-Q	文件：207.75 Kbytes Page：9 Pages	40V,2APNPlowVCEsattransistor 1.Generaldescription PNPlowVCEsattransistorinasmallSOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plastic package. NPNcomplement:PBSS4240T-Q 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Highcurrentcapability •Improveddevicereliabilityduetoreduced	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5240V	文件：82.76 Kbytes Page：12 Pages	40VlowVCEsatPNPtransistor DESCRIPTION PNPtransistorprovidinglowVCEsatandhighcurrentcapabilityinaSOT666plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4240V. FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC •High	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS5240V	文件：219.9 Kbytes Page：10 Pages	40VlowVCEsatPNPtransistor 1.Generaldescription PNPtransistorprovidinglowVCEsatandhighcurrentcapabilityinaSOT666ultrasmallSurface- MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4240V 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcollectorcurrentcapabi	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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