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PBSS5240V	文件：82.76 Kbytes Page：12 Pages	40 V low VCEsat PNP transistor DESCRIPTION PNPtransistorprovidinglowVCEsatandhighcurrentcapabilityinaSOT666plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4240V. FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC •High	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS5240V	文件：219.9 Kbytes Page：10 Pages	Marking：52；Package：SOT666；40 V low VCEsat PNP transistor 1.Generaldescription PNPtransistorprovidinglowVCEsatandhighcurrentcapabilityinaSOT666ultrasmallSurface- MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4240V 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcollectorcurrentcapabi	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5240V_15	文件：1.59295 Mbytes Page：5 Pages	PNP Transistors	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
PBSS5240V_15	文件：368.83 Kbytes Page：9 Pages	40 V low VCEsat PNP transistor	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS5240V,115	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOT-563，SOT-666；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 40V 1.8A SOT666	Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.
PBSS5240X	文件：687.07 Kbytes Page：12 Pages	40V,2APNPlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinamediumpowerandflatleadSOT89Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage.NPNcomplement:PBSS4240X. Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcollectorcurrentcapa	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5240Y	文件：49.19 Kbytes Page：8 Pages	40VlowVCEsatPNPtransistor DESCRIPTION PNPlowVCEsattransistorinaSOT363(SC-88)plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4240Y. FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Highcurrentcapability •Improveddevicereliabilityduetoreducedheat generation •ReplacementforSOT89/SOT223standardpackag	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS5240Y	文件：324.34 Kbytes Page：8 Pages	40VlowVCEsatPNPtransistor FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Highcurrentcapability •Improveddevicereliabilityduetoreducedheatgeneration •ReplacementforSOT89/SOT223standardpackagedtransistorsduetoenhancedperformance. APPLICATIONS •Supplylineswitchingcircuits •Batterymanagement	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5240Z	文件：717.69 Kbytes Page：14 Pages	40V,2APNPlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinamediumpowerSOT223(SC-73)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4240Z Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcollectorcurrentcapabilit	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PJBZ5240Q	文件：80.94 Kbytes Page：3 Pages	500mWZENERSINQFN1.2x1.5mm짼	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT

详细参数

型号：
PBSS5240V
功能描述：
两极晶体管 - BJT TRANS BISS TAPE-7
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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