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MMXZ5240C	文件：376.77 Kbytes Page：4 Pages	200 mW Zener Diode 4.3 to 51 Volts	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MTSZ5240BW	文件：478.43 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountZenerDiodes	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
MTSZ5240BW	文件：478.43 Kbytes Page：4 Pages	500mW,SOD-123LHSurfaceMountZenerDiodes	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
MTSZ5240BWS	文件：256.709 Kbytes Page：4 Pages	200mW,SOD-323LSurfaceMountZenerDiodes	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
MTSZ5240CWS	文件：559.13 Kbytes Page：4 Pages	200mW,SOD-323LSurfaceMountZenerDiodes	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
MUN5240	文件：143.78 Kbytes Page：11 Pages	DigitalTransistors(BRT)R1=47kR2=k	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MUN5240	文件：134.5 Kbytes Page：11 Pages	DigitalTransistors(BRT)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTE5240A	文件：31.83 Kbytes Page：3 Pages	50WattZenerDiodes짹5Tolerance Features: ●ZenerVoltage3.9to200V ●LowZenerImpedance ●HighlyReliableandRugged ●AlsoAvailableinReversePolarity(NTE5240AKthruNTE5296AK)	NTE NTE Electronics	NTE
NTE5240A	文件：31.83 Kbytes Page：3 Pages	50WattZenerDiodes Features: ●ZenerVoltage3.9to200V ●LowZenerImpedance ●HighlyReliableandRugged ●AlsoAvailableinReversePolarity(NTE5240AKthruNTE5296AK)	NTE NTE Electronics	NTE
OM5240ST	文件：21.8 Kbytes Page：2 Pages	SINGLEISOLATEDRECTIFIERINHERMETIC [Omnirel] DESCRIPTION Thesehighspeedpowerrectifiersareideallysuitedindemandingapplicationswheresmallsize,highcurrentandhighreliabilityarerequired. FEATURES •IsolatedHermeticPackage •HighCurrent/SmallSize •Ultra-FastRecovery •LowForwardVoltageDrop •JEDECT	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
PA5240	文件：267.14 Kbytes Page：8 Pages	24-Bit,192kHzStereoA/DConverterforPCMAudio	PROTEC Protek Devices	PROTEC
PBSM5240PF	文件：1.39791 Mbytes Page：20 Pages	40V,2APNPlowVCEsat(BISS)transistorwithN-channelTrenchMOSFET	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSM5240PFH	文件：839.21 Kbytes Page：20 Pages	40V,2APNPlowVCEsat(BISS)transistorwithN-channelTrenchMOSFET Generaldescription CombinationofPNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorandN-channelTrenchMetal-OxideSemiconductorField-EffectTransistor(MOSFET).ThedeviceishousedinaleadlessmediumpowerDFN2020-6(SOT1118)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. Fea	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PBSM5240PFH	文件：1.44438 Mbytes Page：20 Pages	40V,2APNPlowVCEsat(BISS)transistorwithN-channelTrenchMOSFET 1.1Generaldescription CombinationofPNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorand N-channelTrenchMetal-OxideSemiconductorField-EffectTransistor(MOSFET).The deviceishousedinaleadlessmediumpowerDFN2020-6(SOT1118)Surface-Mounted Device(SMD)plasticpackag	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5240T	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS5240T	文件：76.67 Kbytes Page：9 Pages	40V,2APNPlowVCEsat(BISS)transistor DESCRIPTION PNPlowVCEsattransistorinaSOT23plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4240T. FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Highcurrentcapability •Improveddevicereliabilityduetoreducedheat generation •ReplacementforSOT89/SOT223standardpackaged	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS5240T	文件：980 Kbytes Page：9 Pages	40V,2APNPlowVCEsattransistor 1.Generaldescription PNPlowVCEsattransistorinasmallSOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plastic package. NPNcomplement:PBSS4240T 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Highcurrentcapability •Improveddevicereliabilityduetoreducedh	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5240T-Q	文件：207.75 Kbytes Page：9 Pages	40V,2APNPlowVCEsattransistor 1.Generaldescription PNPlowVCEsattransistorinasmallSOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plastic package. NPNcomplement:PBSS4240T-Q 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Highcurrentcapability •Improveddevicereliabilityduetoreduced	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5240V	文件：368.83 Kbytes Page：9 Pages	40VlowVCEsatPNPtransistor DESCRIPTION PNPtransistorprovidinglowVCEsatandhighcurrentcapabilityinaSOT666plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4240V. FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC •High	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PBSS5240V	文件：82.76 Kbytes Page：12 Pages	40VlowVCEsatPNPtransistor DESCRIPTION PNPtransistorprovidinglowVCEsatandhighcurrentcapabilityinaSOT666plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4240V. FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC •High	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MMXZ5240C供应商更新时间2024-9-24 10:18:00

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