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30V,2APNP/PNPlowVCEsat(BISS)transistor 1.Generaldescription PNP/PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaleadless mediumpowerDFN2020-6(SOT1118)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPN/PNPcomplement:PBSS4230PANP.NPN/NPNcomplement:PBSS4230PAN. 2.Featuresandbenefits •Verylowcollec | NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司 | NEXPERIA | ||
30V,2APNPlowVCEsat(BISS)transistor | nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司 | nxp | ||
30V,2APNPlowVCEsat(BISS)transistor 1.Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaleadlessultrasmall DFN1010D-3(SOT1215)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithvisible andsolderablesidepads. NPNcomplement:PBSS4230QA. 2.Featuresandbenefits •Verylowcollector- | NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司 | NEXPERIA | ||
30V,2APNPlowVCEsat(BISS)transistor DESCRIPTION PNPBISStransistorinaSOT23plasticpackageofferingultralowVCEsatandRCEsatparameters. FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcollectorcurrentcapability:ICandICM •Higherefficiencyleadingtolessheatgeneration •Reducedprinted-circuit | PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦 | Philips | ||
LowVCEsat(BISS)transistors | PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦 | Philips | ||
20V,2APNPlowVCEsat(BISS)transistor DESCRIPTION PNPBISStransistorinaSOT23plasticpackageofferingultralowVCEsatandRCEsatparameters. FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcollectorcurrentcapability:ICandICM •Higherefficiencyleadingtolessheatgeneration •Reducedprinted-circuit | PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦 | Philips | ||
30V,2APNPlowVCEsat(BISS)transistor Featuresandbenefits *Lowcollector-emitersaturationvoltage VCEsat *Highcollectorcurrentcapability: ICandICM *Higherefficiencyleadingtolessheat generation *AEC-Q101qualified | NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司 | NEXPERIA | ||
PNPGeneralPurposeAmplifier Features ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Highcurrentcapability ●EpoxymeetsUL-94V-0flammabilityrating ●Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix”HF” ●MoisureSensitivityLevel1 ●Marking:W3G Applications ●Supplylineswitchingcircuits ●Batterymanagement ●DC | SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司 | SY | ||
500mWZENERSINQFN1.2x1.5mm짼 | PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司 | PANJIT | ||
Voltageregulatordiodes DESCRIPTION Low-powervoltageregulatordiodesinsmallSOT23plasticSMDpackages. Theseriesconsistsof32typeswithnominalworkingvoltagesfrom3.3to75V. FEATURES •Totalpowerdissipation:max.250mW •Toleranceseries:±5 •Workingvoltagerange:nom.3.3to75V •Non-repetiti | PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦 | Philips |
产品属性
- 产品编号:
MMXZ5230B-TP
- 制造商:
Micro Commercial Co
- 类别:
分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 容差:
±5%
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
SC-76,SOD-323
- 供应商器件封装:
SOD-323
- 描述:
DIODE ZENER 4.7V 200MW SOD323
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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Micro |
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SOD-323 |
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Micro Commercial Co |
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SOD-323 |
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SOD-323 |
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全新原装正品现货,支持订货 |
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6000 |
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M.C.C |
24+ |
SOD323 |
33000 |
原装现货假一罚十 |
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