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MMST3906

Plastic-Encapsulate Transistors

FEATURES Power dissipation.(PC=0.2W) Epitaxial planar die construction.

文件:339.83 Kbytes 页数:2 Pages

HOTTECH

合科泰

MMST3906

SOT-323 BIPOLAR TRANSISTORS TRANSISTOR (PNP)

文件:619.34 Kbytes 页数:2 Pages

RECTRON

丽正国际

MMST3906

丝印:K5N;Package:SOT-323;PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor

文件:316.46 Kbytes 页数:4 Pages

BILIN

银河微电

MMST3906

丝印:R2A;Package:SOT-346;PNP General Purpose Transistor

文件:127.19 Kbytes 页数:5 Pages

ROHM

罗姆

MMST3906

PNP Small Signal Transistors

文件:245.13 Kbytes 页数:3 Pages

MCC

MMST3906

60V NPN SMALL SIGNAL TRANSISTOR

文件:405.28 Kbytes 页数:6 Pages

DIODES

美台半导体

MMST3906

PNP Small Signal Transistors

文件:203.49 Kbytes 页数:3 Pages

MCC

MMST3906

150 mA LOAD SWITCH FEATURING COMPLEMENTARY BIPOLAR TRANSISTORS

文件:322.99 Kbytes 页数:9 Pages

DIODES

美台半导体

MMST3906

PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

文件:134.29 Kbytes 页数:4 Pages

DIODES

美台半导体

MMST3906

Switching transistor

•开关用三极管表面安装型;

ROHM

罗姆

技术参数

  • Compliance (Only Automotive supports PPAP):

    On Request*

  • Product Type:

    PNP

  • IC (A):

    0.2 A

  • ICM (A):

    N/A A

  • PD (W):

    0.2 W

  • hFE (min):

    60 Min

  • hFE(@ IC):

    0.0001 A

  • hFE(Min 2):

    30

  • hFE(@ IC2):

    0.05 A

  • VCE (SAT)Max (mV):

    250 mV

  • VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/m A) (A/m A):

    3/100

  • VCE (SAT)(Max.2):

    400 mV

  • VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A):

    1/100

  • fT (MHz):

    300 MHz

  • RCE(SAT):

    N/A mΩ

  • Packages:

    SOT323

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多MMST3906供应商 更新时间2025-10-9 14:31:00