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MMIX1X200N60B3 | Extreme Light Punch Through IGBT for 10-30kHz Switching 文件:241 Kbytes 页数:7 Pages | IXYS 艾赛斯 | IXYS | |
MMIX1X200N60B3 | SMPD封装标准IGBT • 超低紧凑型封装形式\n• 可通过标准回流工艺进行表面安装\n• 封装重量轻\n• 高达4500V陶瓷隔离(DCB)\n• 较低的封装电感\n• 卓越的热性能\n• 高功率循环能力; | Littelfuse 力特 | Littelfuse | |
MMIX1X200N60B3 | Package:24-PowerSMD,21 引线;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 223A 625W SMPD | IXYS 艾赛斯 | IXYS | |
Extreme Light Punch Through IGBT for 10-30kHz Switching 文件:250.93 Kbytes 页数:8 Pages | IXYS 艾赛斯 | IXYS | ||
SMPD封装标准IGBT • 超低紧凑型封装形式\n• 封装重量轻\n• 较低的封装电感\n• 高功率循环能力\n; | Littelfuse 力特 | Littelfuse | ||
Package:24-PowerSMD,21 引线;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 175A 520W SMPD | IXYS 艾赛斯 | IXYS |
产品属性
- 产品编号:
MMIX1X200N60B3
- 制造商:
IXYS
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列:
GenX3™, XPT™
- 包装:
卷带(TR)
- IGBT 类型:
PT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
1.7V @ 15V,100A
- 开关能量:
2.85mJ(开),2.9mJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
48ns/160ns
- 测试条件:
360V,100A,1 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
24-PowerSMD,21 引线
- 供应商器件封装:
24-SMPD
- 描述:
IGBT 600V 223A 625W SMPD
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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IXYS |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
询价 | ||
IXYS |
1931+ |
N/A |
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IXYS |
25+ |
2SMD-4 |
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IXYS |
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NA |
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IXYS |
22+ |
SMPD |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
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IXYS |
23+ |
SMPD |
9000 |
原装正品,支持实单 |
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IXYS |
2022+ |
原厂原包装 |
6800 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
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IXYS |
23+ |
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12500 |
IXYS全系列在售 |
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IXYS |
23+ |
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9800 |
专业配单,原装正品假一罚十,代理渠道价格优 |
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