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MMIX1X200N60B3

Extreme Light Punch Through IGBT for 10-30kHz Switching

文件:241 Kbytes 页数:7 Pages

IXYS

艾赛斯

MMIX1X200N60B3

SMPD封装标准IGBT

• 超低紧凑型封装形式\n• 可通过标准回流工艺进行表面安装\n• 封装重量轻\n• 高达4500V陶瓷隔离(DCB)\n• 较低的封装电感\n• 卓越的热性能\n• 高功率循环能力;

Littelfuse

力特

MMIX1X200N60B3

Package:24-PowerSMD,21 引线;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 223A 625W SMPD

IXYS

艾赛斯

MMIX1X200N60B3H1

Extreme Light Punch Through IGBT for 10-30kHz Switching

文件:250.93 Kbytes 页数:8 Pages

IXYS

艾赛斯

MMIX1X200N60B3H1

SMPD封装标准IGBT

• 超低紧凑型封装形式\n• 封装重量轻\n• 较低的封装电感\n• 高功率循环能力\n;

Littelfuse

力特

MMIX1X200N60B3H1

Package:24-PowerSMD,21 引线;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 175A 520W SMPD

IXYS

艾赛斯

产品属性

  • 产品编号:

    MMIX1X200N60B3

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    GenX3™, XPT™

  • 包装:

    卷带(TR)

  • IGBT 类型:

    PT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.7V @ 15V,100A

  • 开关能量:

    2.85mJ(开),2.9mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    48ns/160ns

  • 测试条件:

    360V,100A,1 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    24-PowerSMD,21 引线

  • 供应商器件封装:

    24-SMPD

  • 描述:

    IGBT 600V 223A 625W SMPD

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更多MMIX1X200N60B3供应商 更新时间2025-10-5 14:16:00