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MMIX1X200N60B3	文件：241 Kbytes Page：7 Pages	Extreme Light Punch Through IGBT for 10-30kHz Switching	IXYS IXYS Corporation	IXYS
MMIX1X200N60B3	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：24-PowerSMD，21 引线；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 223A 625W SMPD	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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产品属性

产品编号：
MMIX1X200N60B3
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
GenX3™, XPT™
包装：
卷带（TR）
IGBT 类型：
PT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.7V @ 15V，100A
开关能量：
2.85mJ（开），2.9mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
48ns/160ns
测试条件：
360V，100A，1 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
24-PowerSMD，21 引线
供应商器件封装：
24-SMPD
描述：
IGBT 600V 223A 625W SMPD

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