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MMIX1X200N60B3分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
MMIX1X200N60B3 |
| 参数属性 | MMIX1X200N60B3 封装/外壳为24-PowerSMD，21 引线；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 223A 625W SMPD |
| 功能描述 | Extreme Light Punch Through IGBT for 10-30kHz Switching |
| 封装外壳 | 24-PowerSMD，21 引线 |
| 文件大小 |
241 Kbytes |
| 页面数量 |
7 页 |
| 生产厂商 | IXYS |
| 中文名称 | 艾赛斯 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-6 15:10:00 |
| 人工找货 | MMIX1X200N60B3价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
MMIX1X200N60B3规格书详情
MMIX1X200N60B3属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由艾赛斯制造生产的MMIX1X200N60B3晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
更多- 产品编号：
MMIX1X200N60B3
- 制造商：
IXYS
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列：
GenX3™, XPT™
- 包装：
卷带（TR）
- IGBT 类型：
PT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.7V @ 15V，100A
- 开关能量：
2.85mJ（开），2.9mJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
48ns/160ns
- 测试条件：
360V，100A，1 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
24-PowerSMD，21 引线
- 供应商器件封装：
24-SMPD
- 描述：
IGBT 600V 223A 625W SMPD
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
23+ |
SMPD |
9000 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
IXYS |
2022+ |
原厂原包装 |
6800 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
IXYS |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
询价 | ||
IXYS/LITTELFUSE |
2006 |
Y4-M5 |
15800 |
全新原装正品现货直销 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
NA |
13000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
57000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
IXYS |
23+ |
N/A |
12500 |
IXYS全系列在售 |
询价 | ||
IXYS |
22+ |
SMPD |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
IXYS |
1931+ |
N/A |
18 |
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询价 | ||
IXYS |
22+ |
NA |
18 |
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询价 |
