MMIX1X200N60B3_分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单-IXYS

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20+	¥315.09250

厂家型号：
MMIX1X200N60B3
制造商：
IXYS/IXYS Corporation
库存数量：
0
类别：
分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单
封装外壳：
24-PowerSMD，21 引线
包装：
卷带（TR）
安装类型：
表面贴装型
更新时间：
2025-6-16 14:16:00

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原厂料号：MMIX1X200N60B3品牌：IXYS

资料说明：IGBT 600V 223A 625W SMPD

MMIX1X200N60B3是分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。制造商IXYS/IXYS Corporation生产封装24-PowerSMD，21 引线的MMIX1X200N60B3晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

芯片型号：
mmix1x200n60b3
规格书：
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企业简称：
IXYS详情
厂商全称：
IXYS Corporation
资料说明：
IGBT 600V 223A 625W SMPD

产品属性

类型
描述
产品编号：
MMIX1X200N60B3
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
GenX3™, XPT™
包装：
卷带（TR）
IGBT 类型：
PT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.7V @ 15V，100A
开关能量：
2.85mJ（开），2.9mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
48ns/160ns
测试条件：
360V，100A，1 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
24-PowerSMD，21 引线
供应商器件封装：
24-SMPD
描述：
IGBT 600V 223A 625W SMPD

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MMIX1X200N60B3

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