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MMIX1G120N120A3V1	文件：253.86 Kbytes Page：7 Pages	Ultra-Low-Vsat PT IGBT for 3kHz Switching	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
MMIX1G120N120A3V1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：24-PowerSMD，21 引线类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 220A 400W SMPD	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS

产品属性

产品编号：
MMIX1G120N120A3V1
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
GenX3™
包装：
卷带（TR）
IGBT 类型：
PT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.2V @ 15V，100A
开关能量：
10mJ（开），33mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
40ns/490ns
测试条件：
960V，100A，1 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
24-PowerSMD，21 引线
供应商器件封装：
24-SMPD
描述：
IGBT 1200V 220A 400W SMPD

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