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MMIX1G120N120A3V1分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

厂商型号 |
MMIX1G120N120A3V1 |
参数属性 | MMIX1G120N120A3V1 封装/外壳为24-PowerSMD,21 引线;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 1200V 220A 400W SMPD |
功能描述 | Ultra-Low-Vsat PT IGBT for 3kHz Switching |
封装外壳 | 24-PowerSMD,21 引线 |
文件大小 |
253.86 Kbytes |
页面数量 |
7 页 |
生产厂商 | IXYS Corporation |
企业简称 |
IXYS |
中文名称 | IXYS Corporation官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-6-24 18:31:00 |
人工找货 | MMIX1G120N120A3V1价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
MMIX1G120N120A3V1规格书详情
MMIX1G120N120A3V1属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由IXYS Corporation制造生产的MMIX1G120N120A3V1晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
更多- 产品编号:
MMIX1G120N120A3V1
- 制造商:
IXYS
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列:
GenX3™
- 包装:
卷带(TR)
- IGBT 类型:
PT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.2V @ 15V,100A
- 开关能量:
10mJ(开),33mJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
40ns/490ns
- 测试条件:
960V,100A,1 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
24-PowerSMD,21 引线
- 供应商器件封装:
24-SMPD
- 描述:
IGBT 1200V 220A 400W SMPD
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
23+ |
N/A |
12500 |
IXYS全系列在售 |
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24+ |
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