MMIX1G120N120A3V1 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 IXYS/艾赛斯

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原厂料号:MMIX1G120N120A3V1品牌:IXYS

全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销

MMIX1G120N120A3V1是分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。制造商IXYS生产封装24-SMPD/24-PowerSMD,21 引线的MMIX1G120N120A3V1晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

  • 芯片型号:

    MMIX1G120N120A3V1

  • 规格书:

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  • 企业简称:

    IXYS【艾赛斯】详情

  • 厂商全称:

    IXYS Corporation

  • 内容页数:

    7 页

  • 文件大小:

    253.86 kb

  • 资料说明:

    Ultra-Low-Vsat PT IGBT for 3kHz Switching

产品属性

更多
  • 类型

    描述

  • 制造商编号

    :MMIX1G120N120A3V1

  • 生产厂家

    :力特

  • Collector Current @ 25 ℃ (A)

    :220

  • VCE(sat) - Collector-Emitter Saturation Voltage (V)

    :2.2

  • Fall Time [Inductive Load] (ns)

    :325

  • Configuration

    :Copack (FRED)

  • Package Type

    :SMPDU

  • Thermal resistance [junction-case] [IGBT] (K/W)

    :0.31

  • Turn-off Energy @ 125 ℃ (mJ)

    :58

  • Collector Current @ 110 ℃ (A)

    :105

  • Thermal resistance [junction-case] [Diode] (K/W)

    :0.5

供应商

  • 企业:

    深圳市鹏顺微电子科技有限公司

  • 商铺:

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    杨先生

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