MMIX1G120N120A3V1 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 IXYS

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1+	面议

厂家型号：
MMIX1G120N120A3V1
产品分类：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
生产厂商：
IXYS
库存数量：
18
产品封装：
NA
生产批号：
22+
库存类型：
常用库存
更新时间：
2025-5-24 10:09:00

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原厂料号：MMIX1G120N120A3V1品牌：IXYS

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MMIX1G120N120A3V1是分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。制造商IXYS生产封装NA/24-PowerSMD，21 引线的MMIX1G120N120A3V1晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

芯片型号：
MMIX1G120N120A3V1
规格书：
下载下载2
企业简称：
IXYS详情
厂商全称：
IXYS Corporation
内容页数：
7 页
文件大小：
253.86 kb
资料说明：
Ultra-Low-Vsat PT IGBT for 3kHz Switching

产品属性

类型
描述
产品编号：
MMIX1G120N120A3V1
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
GenX3™
包装：
卷带（TR）
IGBT 类型：
PT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.2V @ 15V，100A
开关能量：
10mJ（开），33mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
40ns/490ns
测试条件：
960V，100A，1 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
24-PowerSMD，21 引线
供应商器件封装：
24-SMPD
描述：
IGBT 1200V 220A 400W SMPD

供应商

企业：
深圳市易讯博科技有限公司
商铺：
进入商铺
联系人：
王小姐
手机：
13751090307
询价：
电话：
13751090307/0755-83946786
地址：
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MMIX1G120N120A3V1 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 IXYS

MMIX1G120N120A3V1

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