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MMPQ2222	文件：108.84 Kbytes Page：4 Pages	QuadGeneralPurposeTransistors QuadGeneralPurposeTransistors NPNSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MMPQ2222	文件：113.81 Kbytes Page：6 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier NPNGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisforuseasamediumpoweramplifierandswitchrequiringcollectorcurrentsupto500mA.SourcedfromProcess19.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMPQ2222A	文件：61.84 Kbytes Page：5 Pages	NPNMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMPQ2222A	文件：108.84 Kbytes Page：4 Pages	QuadGeneralPurposeTransistors QuadGeneralPurposeTransistors NPNSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MMPQ2222A	文件：140.96 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTNPNSILICONQUADTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORMMPQ2222A,consistingoffourtransistorsandavailableintheSOIC-16surfacemountpackage,isdesignedforgeneralpurposeamplifierandswitchingapplications.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
MMPQ2222A	文件：88.62 Kbytes Page：7 Pages	NPNMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMPQ2222A	文件：186.47 Kbytes Page：6 Pages	QuadGeneralPurposeTransistorNPNSilicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMST2222	文件：200.47 Kbytes Page：2 Pages	NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features EpitaxialPlanarDieConstruction ComplementaryPNPTypeAvailable (MMST2907A) Ultra-SmallSurfaceMountPackage	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
MMST2222A	文件：79.13 Kbytes Page：3 Pages	NPNMediumPowerTransistor(Switching) Features 1)BVCEO>40V(IC=10mA) 2)ComplementstheUMT2907A/SST2907A/MMST2907A/PN2907A.	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
MMST2222A	文件：200.47 Kbytes Page：2 Pages	NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features EpitaxialPlanarDieConstruction ComplementaryPNPTypeAvailable (MMST2907A) Ultra-SmallSurfaceMountPackage	TRSYS Transys Electronics	TRSYS

详细参数

型号：
MMDT2222V-TP
功能描述：
TRANSISTOR NPN DUAL 40V SOT563
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 阵列
系列：
-
标准包装：
10,000
晶体管类型：
2 NPN（双）电流 -
集电极(Ic)（最大）：
100mA 电压 -
集电极发射极击穿（最大）：
45V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：
600mV @ 5mA，100mA 电流 -
集电极截止（最大）：
- 在某 Ic、Vce
时的最小直流电流增益(hFE)：
200 @ 2mA，5V 功率 -
最大：
250mW 频率 -
转换：
250MHz
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商设备封装：
PG-SOT363-6
包装：
带卷(TR)
其它名称：
SP000747402

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MMDT2222V-TP供应商更新时间2025-5-20 15:01:00

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