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MMDT3906TB6	文件：135.79 Kbytes Page：4 Pages	DUAL PNP GENERAL PURPOSE SWITCHING TRANSISTOR FEATURES • PNP epitaxial silicon, planar design • Collector-emitter voltage VCE = -40V • Collector current IC = -200mA • In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives 文件：135.79 Kbytes 页数：4 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
MMDT3906TB6	文件：300 bytes Page：1 Pages	通用型双极晶体管	Panjit 強茂	Panjit
MMDT3946	文件：0 bytes Page：0 Pages	Slkor(萨科微 SOT-363	Slkor(萨科微上传：深圳市华康联电子科技有限公司	Slkor(萨科微
MMDT5451	文件：0 bytes Page：0 Pages	CJ SOT-363	CJ 上传：深圳市赛特兴科技有限公司	CJ
MME70R380PRH	文件：0 bytes Page：0 Pages	MAGNACHIP TO-263	MAGNACHIP 上传：深圳市鼎欣微电子有限公司	MAGNACHIP

技术参数

Type：
PNP+PNP
VCBO Max.[V]：
-40
VCEO Max.[V]：
-40
IC Max.[mA]：
-200
VCE(sat)Max.[V]：
-0.4
VCE(sat)Max.[IC.mA]：
-50
VCE(sat)Max.[IB.mA]：
-5
hFE(Min)：
100
hFE(Max)：
300
hFE(VCE[V])：
-1
hFE(IC[mA])：
-10
PTOT Max.[mW]：
200
fT Min.[MHz]：
250
Package：
SOT-563

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