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MMDT2227DW	文件：131.65 Kbytes Page：5 Pages	NPNPNP Dual General Purpose Transistors Features: * Complementary Pair * Epitaxial Planar Die Construction * Ultra-Small Surface Mount Package * One 2222A Type (NPN), One 2907A Type (PNP) * Ideal for Low Power Amplication and Switching 文件：131.65 Kbytes 页数：5 Pages	WEITRON	WEITRON
MMDT2227DW	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistors	Willas 威伦	Willas
MMDT2227DW	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN小信号三极管	CBI 创基电子	CBI
MMDT2227M	文件：347.32 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARY NPN / PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features • Complementary Pair • Epitaxial Planar Die Construction • One 2222A Type (NPN), One 2907A Type (PNP) • Ideal for Low Power Amplification and Switching • Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 2) • Green Device (Note 3) 文件：347.32 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
MMDT2227Q	文件：458.19 Kbytes Page：6 Pages	40V COMPLEMENTARY NPN/PNP SMALL SIGNAL TRANSISTOR Description This Bipolar Junction Transistor (BJT) is designed to meet the stringent requirements of Automotive Applications. Features • BVCEO >40V • IC = 600mA High Collector Current • Epitaxial Planar Die Construction • Ideal for Medium Power Amplification and Switching • Ultra-Small Surf 文件：458.19 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
MP2227	文件：458.27 Kbytes Page：13 Pages	24V, 3A, 1.3MHz Synchronous Step-Down Converter 文件：458.27 Kbytes 页数：13 Pages	MPS 美国芯源	MPS

技术参数

ptot(W)：
0.2
IC(A)：
0.6
Vcbo(V)：
75
Vceo(V)：
40
Vebo(V)：
6
Icbo(uA)：
0.01
Icbo(V)：
60
Vce(sat)(V)：
0.3
Vce(sat)Ic(mA)：
150
Vce(sat)Ib(mA)：
15
hFE：
100-300
hFEvce(v)：
10
hFEIc(mA)：
150
ftMHz：
300
ftVce(v)：
20
ftIc/Ie(mA)：
20
PackageOutline：
SOT-363

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市凯睿晟科技有限公司	MMDT2227DW	Bychip/百域芯	21+	SOT-363	30000	实单必成质强价优可开13点增值税	询价
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