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MMDT2907A	文件：53.17 Kbytes Page：4 Pages	Marking：K2F；Package：SOT-363；COMPLEMENTARY NPN/PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features&Benefits •ComplementaryPairsOne2222AType(NPN) •One2907AType(PNP) •IdealforLowPowerAmplificationandSwitching •TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMDT2907A	文件：165.56 Kbytes Page：3 Pages	Marking：K2F；Package：SOT-363；Dual NPN Small Signal Surface Mount Transistor FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●ComplementaryNPNtypeavailableMMDT2222A. ●Ultra-smallsurfacemountpackage. APPLICATIONS ●ForLowpoweramplificationandswitching.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MMDT2907A	文件：106.33 Kbytes Page：5 Pages	DUAL PNP GENERAL PURPOSE SWITCHING TRANSISTOR VOLTAGE60VoltsPOWER150mW FEATURES •PNPepitaxialsilicon,planardesign •Collector-emittervoltageVCE=-60V •CollectorcurrentIC=-600mA •IncompliancewithEURoHS2002/95/ECdirectives	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
MMDT2907A	文件：334.8 Kbytes Page：3 Pages	PNP General Purpose Amplifier Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •ComplementaryNPNTypeavailableMMDT2222A •Capableof200mWattsofPd,600mAcontinuouscollectorcurrent. •OperatingandStorageJunctionTemperatures:-55°Cto150°C •Epoxyme	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMDT2907A	文件：137.78 Kbytes Page：4 Pages	NPN & PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIER DESCRIPTION TheUTCMMDT2907AisanDualPNPgeneralpurposeamplifier.it’ssuitableforamediumpoweramplifierandswitchrequiringcollectorcurrentsupto500mA.	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
MMDT2907A	文件：232.54 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES ComplementaryPNPTypeavailableMMDT29222A	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰电子有限公司	HOTTECH
MMDT2907A	文件：891.91 Kbytes Page：5 Pages	Marking：K2F；Package：SOT-363；Dual PNP Small Signal Surface Mount Transistor FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●ComplementaryNPNtypeavailableMMDT2222A. ●Ultra-smallsurfacemountpackage. APPLICATIONS ●ForLowpoweramplificationandswitching.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
MMDT2907A	文件：1.4616 Mbytes Page：4 Pages	PNPPNP Plastic-Encapsulate Transistors Features ComplementaryNPNTypeavailableTPMMDT2222A	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
MMDT2907A	文件：1.81909 Mbytes Page：4 Pages	DUAL TRANSISTOR (PNPPNP) SOT-363Plastic-EncapsulateTransistors FEATURE ●ComplementaryNPNTypeavailableMMDT2222A	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
MMDT2907A	文件：134.03 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR (PNP) FEATURES Powerdissipation PCM:0.15W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-0.6A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-60V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN

详细参数

型号：
MMDT2907A
制造商：
BILIN
制造商全称：
Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited
功能描述：
Dual NPN Small Signal Surface Mount Transistor

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