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MMBTA13	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN Silicon Darlington Transistors ● High DC current gain\n● High collector current\n● Low collector-emitter saturation voltage	Infineon 英飞凌	Infineon
MMBTA13	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：剪切带（CT）带盒（TB）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN DARL 30V 1.2A SOT23-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBTA13-3L	文件：300 bytes Page：1 Pages	30V,0.3A,General Purpose NPN Bipolar Transistor	Galaxy 银河微电	Galaxy
MMBTA13-HF	文件：300 bytes Page：1 Pages	Small Signal Transistor	Comchip 典琦	Comchip
MMBTA13-7	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23-3	DIODES 美台半导体	DIODES

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晶体管资料

型号：
MMBTA13
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl
性质：
低频或音频放大（LF）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
最大电流允许值：
0.5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BCV27,BCV47,PMBTA13,SMBTA13,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
0
htest：
999900
atest：
0.5
wtest：
0

产品属性

产品编号：
MMBTA13
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
晶体管类型：
NPN - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.5V @ 100µA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
10000 @ 100mA，5V
频率 - 跃迁：
125MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
TRANS NPN DARL 30V 1.2A SOT23-3

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